场电子发射相关论文
一维碳纳米材料因为其独特的力学、电学、热学等特性以及化学稳定性,而在许多领域显示出了良好的应用前景,特别是其优异的场发射特......
场致电子发射器件的广泛应用,关键在于寻找开启(或阈值)电场低、发射电流密度高、场电子发射性能稳定、寿命长的冷阴极材料。本论......
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采用磁过滤等离子体结合氧化铝模板技术制备了具有优异场发射性能的非晶金刚石纳米棒阵列膜.显微分析表明,阵列棒分布均匀,棒密度......
用多孔阳极氧化铝 (AAO)模板 ,进行化学气相沉积 (CVD) ,成功制备出一种大面积高度取向、分立有序的由表面碳膜固定保持的碳纳米管......
利用电感耦合等离子体化学气相沉积在室温下制备了Si薄膜,用拉曼谱对样品的结构进行了表征,502cm?1附近散射峰的出现说明在样品中......
利用低压化学气相沉积方法在以Au作催化剂的Si衬底上生长了InN纳米线.扫描电子显微镜分析表明,这些纳米线的直径在60-100 nm的范围......
介绍了用微波CVD法制备的一种新型低阈值电压大电流密度金刚石薄膜场发射冷阴极，阈值电压低于1.09 V/ m，场发射电流密度高达418 mA/ ......
碳纳米结构材料如纳米碳管、纳米金刚石、纳米碳纤维都具有良好的场电子发射性能，它们低的发射阈值和高发射电流密度极具应用潜力。......
采用阳极氧化及阴极还原表面处理技术制备性能稳定的纳米多孔硅薄膜。用原子力显微镜（AFM）表征多孔硅的表面形貌,用扫描电子显微镜（SE......
利用等离子体增强热丝化学气相沉积制备了多壁碳纳米管,并测试了它的场电子发射性能,发现碳纳米管的场电子发射性能在测量过程中发......
较全面地介绍了碳纳米管场发射研究10年来在发射机理方面的研究结果，包括场发射能量分布、选出功、发射模型以及发射稳定性和失效等......
研究了多孔硅衬底微波CVD金刚石薄膜的制备工艺及其场电子发射特性．以多孔硅作为生长金刚石突起阵列的模板，生长出带多微尖的微晶金......
传感器技术是当今世界发展最为快速的高新技术之一，也是现代工程技术进步的一个重要标志；电导型纳米传感器现已在航空航天、军事国防......
本论文研究了在多孔硅衬底上用微波等离子体化学气相沉积(MWPCVD)技术生长的纳米晶金刚石薄膜和不连续金刚石薄膜的场致电子发射(F......
综述了作者近20年在纳米半导体场电子发射及其作为冷阴极应用的理论模型、优化结构与相应实验研究方面取得的系列进展与突破.理论......
以氮气为反应气体,用射频反应溅射方法制备了AlN薄膜,结合XPS和XRD表征考察了热退火后处理对样品场电子发射性能的影响.实验表明,......
本论文研究了微波等离子化学气相沉积系统(MPCVD)制备条件对非晶碳膜场发射特性的影响，制备出了开启电场低、电流密度大的纳米含氢......
研究了Si和Si尖上纳米金刚石场电子发射性质.纳米金刚石是利用热灯丝CVD法合成的,反应气体是CH4、N2和H2的混合物.实验结果表明Si......
由于场发射研究日趋重要,文章就场发射理论的起源、研究现状进行了总结,介绍了电子在几种不同类型材料的场发射理论模型,并对理论......
介绍了以金刚石为代表的宽带隙薄膜材料场电子发射研究背景和现状 ,对金刚石、类金刚石 (DLC)、立方氮化硼 (c-BN)、氮化铝 (AlN)......
介绍了用微波ＣＶＤ法制备的一种新型低阈值电压大电流密度金刚石薄膜场发射冷阴极，阈值电压低于１．０９ Ｖ／μｍ，场发射电流密度高达４１８ ｍＡ／ｃｍ２，这是目前文献中报......
