氮化硼薄膜相关论文
利用射频磁控溅射方法,在n型(100)Si基底上沉积了氮化硼(BN)薄膜,红外光谱测试表明,所有样品为六角氮化硼(h-BN)结构.经过氢、氧等......
本研究利用射频溅射法在Si(100)衬底上制备了纯六方相(h-BN)和以正交相(E-BN)为主相的两组氮化硼薄膜，对其进行600～1000℃的N2保护退......
本文使用射频(13.56 MHz)溅射两步法,分别在电阻率为5～6Ω·cm的n型Si(111)衬底和熔融的石英衬底上成功制备出立方相含量为66％的立方......
本文用电子束蒸发法制备了c-BN薄膜，衬底采用单面抛光n型Si(100),在背底真空为1.3×10-3 Pa,电子枪束流为80 mA,衬底温度为室温的条......
本文对ECR CVD沉积制备六角氮化硼薄膜进行了阐述。采用微波电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积(ECR CVD)系统，以逐层沉积技术(L......
石墨烯材料的发现使二维材料研究成为材料研究领域的前沿课题。目前发现的二维材料种类已达上百种之多正如石墨烯一样,大尺寸高质......
利用等离子体增强脉冲激光沉积系统在Si(100)基底上沉积出了高质量的o-BN薄膜,利用红外光谱(FTIR)、X射线衍射谱(XRD)和原子力显微......
摘要：微尺度下的热整流效应是当前材料传热学中的一个热点研究课题，具有广泛的应用前景。本文采用了非平衡态分子动力学模拟的方法，从......
用热丝增强射频等离子体ＣＶＤ法，在Ｓｉ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ人工合成金刚石薄膜和不锈钢等多种衬底材料上，生长出立方氮化硼薄膜。用Ｘ射线衍射谱和傅立叶......
该工作利用高真空中磁场控制的热电子弧光放电离化Ｎ〈，２〉，获得高离化度等离子体与电子枪蒸发硼配合建立磁控弧光放电增强等离子体－活化......
本文用B＜，2＞H＜，6＞（硼烷）、和SiH＜，4＞（硅烷）作反应气，通过射频等离子体增强化学气相淀积（RF-PECVD）的方法，在（100）Si上沉积生长氮化硼（BN）薄膜，用HITCHI S......
本文主要研究工艺参数对制备立方氮化硼的影响,立方氮化硼的光学性质和退火相变机理。 用磁控溅射法制备六角氮化硼薄膜,在衬底......
氮化硼是近年来所研究的新型宽带半导体材料中一种性能优异，极具发展潜力和广泛应用前景的合成材料。它具有优异的热稳定性、化学惰......
氮化硼(Boron Nitride，即BN)由于具有优异的热稳定性、化学惰性、很高的热导率，在高温下也具有良好的润滑性，所以氮化硼薄膜尤其是立......
立方氮化硼(c-BN)具有优异的物理化学陛质，如仅次于金刚石的硬度、高温下强的抗氧化能力、不易与铁族金属反应、可n型掺杂也可p型掺......
纯六方氮化硼(hBN)是一种直接带隙宽禁带半导体，其禁带宽度接近6eV，在紫外发光器件及高频电子器件领域具有重要的应用前景。本研究采......
氮化硼具有两种主要的结构形式,即六方氮化硼(hBN,下称BN)和立方氮化硼(cBN)。BN是一种直接带隙宽禁带半导体,其禁带宽度大约为6eV......
立方氮化硼(cBN)薄膜拥有十分好的物理化学性能,与金刚石薄膜相比较,温度低于1373K时不会与铁系金属材料反应,同时具有宽带隙(6.4e......
声表面波(Surface acoustic wave,SAW)技术是一种新兴的高新技术,它是声学、电子学、光学相交叉的一门边缘学科。氮化硼((BN)是一......
该文采用热丝辅助射频等离子体化学汽相沉积技术,通过分解氨气(包括氮气),硼烷和氢气等反应气体,在硅,不锈钢,镍,钴,钽,钨,钛,钼和......
该文论述方氮化硼(cBN)是一种新型的功能材料,在基础科学研究和实际应用中都有重要的价值.在该工作中,用热丝辅助射频等离子体CVD......
该文工作开创性地建立了电子回旋增强等离子体活化反应离子镀方法,较系统地研究了制备立方氮化硼薄膜过程中各种条件对其影响,建立......
立方氮化硼(c-BN)是一种人工合成的宽带隙Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料,它有许多优异的物理化学性质,如仅次于金刚石的硬度、高温下强......
在氮化硼系统中，立方氮化硼(Cubic boron nitride，c-BN)是集众多优异的物理和化学特性于一身的超硬、宽带隙半导体材料。立方氮化硼......
自从2004年石墨烯被发现之后，原子尺度薄膜材料便引起了科技界的广泛兴趣。在这样的（准）二维材料中，一些新颖的现象不断被发现，如常温下......
通常人们对氮化硼薄膜的S掺杂,采用的是在氮化硼制备过程中就地掺杂的方法,文中则采用S离子注入方法.氮化硼薄膜用射频溅射法制得.......
利用射频磁控溅射方法,在n型(100)Si基底上沉积了不同厚度(54～124nm)的纳米氮化硼(BN)薄膜.红外光谱分析表明,BN薄膜结构为六角BN(h......
利用脉冲激光沉积 (PLD)技术在镀钛的陶瓷衬底上制备出了非晶态氮化硼薄膜 ,借助于X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜 (SEM )及Raman......
本发明涉及一种三维氮化硼泡沫及其制备方法．采用化学气相沉积方法．使用硼烷氨络合物为固态源．在独立的容器内加热至特定温度分解为气......
采用温度梯度法,通过MW-ECR射频磁控溅射在硅片基底上制备了六方和立方混合的氮化硼薄膜。研究了薄膜的键结构,化学成分和力学性能......
利用射频磁控溅射方法, 在n型(100)Si基底上沉积了不同厚度(54～124 nm)的纳米氮化硼(BN)薄膜. 红外光谱分析表明, BN薄膜结构为六角......
研究了氮化硼(BN)薄膜的场发射特性与不同基底偏压和不同膜厚的关系.在磁控溅射反应器中,使用高纯六角氮化硼(h-BN)靶,通入Ar和N2......
利用射频磁控溅射方法．真空室中充入高纯N2(99．99％)和高纯Ar(99．99％)的混合气体．在n型(100)Si基底上沉积了氮化硼(BN)薄膜。红外光谱分析......
利用等离子体增强脉冲激光沉积系统，在n型Si（100）基底上沉积了不同沉积气压下的纳米BN薄膜，利用红外光谱（FTIR）对BN薄膜进行了表征。通过......
利用射频磁控溅射方法,在金刚石膜上沉积了氮化硼薄膜。红外光谱分析表明,氮化硼薄膜的结构为六角氮化硼。在超高真空系统中测量了......
用磁控溅射法制备六角氮化硼薄膜，在衬底温度、衬底偏压、工作气压等条件一定的情况下改变工作气体（氮气＋氩气）中氮气的比例，以制备高质......
用电子束蒸发法制备氮化硼薄膜，分别研究束流大小和蒸发时间长短对薄膜质量的影响，薄膜以红外吸收光谱标识。实验结果表明，束流大小和......
本文对热灯丝（热电子）辅助射频等离子体ＣＶＤ法制备的立方氮化硼（ｃ－ＢＮ）薄膜进行了研究。实验结果表明，ｃ－ＢＮ膜的质量与膜沉积条件有密切的关系。并对其......
采用射频磁控溅射方法在T10钢表面获得了氮化硼薄膜。借助光学显微镜、摩擦磨损试验仪和划痕试验仪等研究了溅射时间、溅射功率以......
利用射频磁控溅射方法, 真空室中充入高纯N2(99.99%)和高纯Ar(99.99%)的混合气体, 在n型(100)Si基底上沉积了六角氮化硼(h-BN)薄膜......
利用射频磁控溅射方法,在n型(100)Si基底上沉积了氮化硼(BN)薄膜,并在超高真空系统中测量了BN薄膜的场发射特性.研究发现,沉积时工......
利用热丝化学气相沉积（HFCVD）方法在Si衬底上生长了4μm厚的金刚石膜，然后利用射频磁控溅射方法在金刚石膜上沉积了100nm厚的六角氮化......
用RF磁控溅射的方法在Si(100)基底上沉积了纳米氮化硼薄膜,然后分别用氢、氧等离子体对薄膜表面进行了处理,用红外光谱、原子力显......
用射频（ＲＦ）磁控制溅射制备了立方氮化硼（ｃ－ＢＮ）薄膜，ＦＴＩＲ光谱和电子衍射实验表明；该薄膜是纯的，其结晶度很高，ＦＴＩＲ光谱研究指出，基板负偏压是ｃ－ＢＮ相形成的重要因......
