峰值结温相关论文
β-Ga_2O_3作为一种新型宽禁带半导体材料,因其～4.8 e V的禁带宽度、高达8MV/cm的击穿场强、稳定的物理化学特性,成为了Si C、Ga N......
从芯片表面的红外热像图中提取出了发射区热像图,提出了一种定量描述晶体管结温不均匀性的新方法,即发射区热谱分析方法.发射区热......
三维全热程热电一体地模拟了Si BJT微波功率器件，热场计算包括从芯片的有源区经芯片－粘接层－基片－粘接层－底座直到固定于70度的安装台面......
利用红外热像显微测量峰值结温方法对L波段硅脉冲功率晶体管在脉冲射频（f=1.3 GHz,Pin=40 W,τ=150μs,D=10%）和峰值结温220°C......
<正> 近十年来,由于卫星通讯、相控阵雷达、电子对抗等军事电子学的高度发展,对微波功率晶体管可靠性提出越来越高的要求,器件工作......
