微米线相关论文
光电探测器是一种可以将光信号转换成电信号的器件,它在光通信、光谱学、环境监测、生物传感器领域有着广泛的应用。近年来,由于卤......
氧化锌（ZnO）是直接带隙半导体,其带隙宽度为3.37 eV,具有大激子结合能（60 meV）、强抗辐射性等优点,使其在紫外探测器、发光二极管以及......
ZnO材料近年来成为半导体光电器件领域的研究热点。当传统的ZnO薄膜受限于p型掺杂的问题而遇到瓶颈时,微纳器件由于其灵活多变的器......
利用石英衬底,通过射频磁控溅射技术在其表面制备银电极,构造Ag/ZnO微米线/Ag肖特基型MSM结构紫外光电探测器。在325 nm紫外光照射......
β-Ga2O3是III-VI族直接宽带隙半导体材料,其禁带宽度（Eg）在4.2-4.9eV之间,具有很好的光学和电学特性,日益成为当前氧化物半导体领域......
以去离子水为工质,配合高速摄像观测,研究了截面为0.5 mmx5mm的微细窄矩形通道内氧化锌微米线结构表面的竖直流动过冷沸腾.流量范......
单斜结构β-Ga2O3是一种超宽带隙(4.9eV)的新型半导体材料,在新一代电力电子器件和光电器件领域有着广阔的应用前景。β-Ga2O3无需......
宽禁带金属氧化物半导体在光电子技术领域具有很大的应用潜力,近些年,大量的研究已经聚焦在这些领域:如太阳能电池、光电探测器、......
We mainly report the temperature dependent photoluminescence(PL)properties of monolayer graphene/Au-nanoparticle/ZnO......
试验用SEM和EDS对高锰铝青铜在硫酸盐还原菌中的腐蚀产物进行了表面分析。浸泡一周局部产生疏松的腐蚀产物，浸泡一个月发现了腐蚀产......
本论文设计合成了一系列基于分子内给受体体系的小分子化合物。通过合理的设计和简捷的合成路线，发展了一系列具有发射不同荧光的给......
ZnO是一种直接带隙的宽禁带半导体材料，室温下禁带宽度为3.37e V，激子束缚能高达60meV，这些优点使其在紫外光电器件方面有着广泛的应......
通过改变生长源中氧化锌与碳粉的比例,利用化学气相沉积的方法生长出曲边ZnO微米线,并通过扫描电子显微镜对曲边ZnO微米线进行形貌......
通过改变生长源中氧化锌与碳粉的比例，利用化学气相沉积的方法生长出曲边ZnO微米线，并通过扫描电子显微镜对曲边ZnO微米线进行形貌表......
通过无模板、无助剂的可控水热法，制备出球形、花形和线状钒酸铋（BiVO4），研究了其光学和可见光催化性能．通过X射线衍射（XRD）和透射电镜（TEM......
通过扫描电子显微镜(SEM)系统地研究了竹炭的微观结构, 并以竹炭孔道为模板, 以正硅酸乙酯为硅源, 采用溶胶-凝胶法合成出高度有序......
利用COMSOL软件研究了纳米天线耦合VO_x微米线结构的光热特性。通过对其结构参数、耦合方式、衬底以及反射层的研究,发现谐振腔效......
微图案化表面构筑在电子学、光学、能源、生物学等众多科技领域都有广泛的应用。基于溶液法的液相转移和控制沉积是实现微图案化表......
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本文设计、合成了酞菁钌二聚体,可溶性酞菁及其金属配合物,两种菲并咪唑取代的卟啉化合物及其金属配合物,研究了可溶性酞菁铜和叔......
喹吖啶酮(QA)及其衍生物是知名的有机颜料和掺杂材料,表现出优异的化学稳定性。此外,作为经典的荧光材料,QA及其衍生物被广泛用来......
采用溶液法制备一维超长酞菁氧钛（TiOPc）微米线。选取4种不同溶剂制得微米线,其光学显微结果表明乙醇是最适合生长TiOPc微米线的溶剂......
通过无模板、无助剂的可控水热法,制备出球形、花形和线状钒酸铋(BiVO4),研究了其光学和可见光催化性能.通过X射线衍射(XRD)和透射......
<正> 前言中国科学院“大规模集成电路工艺、材料和设备考察团”于1979年5月21日至6月18日到美国参观考察,历时28天。考察团先后参......
太阳能是一种洁净的、可再生的能源,通过制备基于微纳结构的光电化学太阳能电池,能够实现类似自然界中光合作用的光电化学过程,即......
本论文中的工作主要可分为两个部分： 一．进一步发展了以液相化学合成和同步组装的路线制备纳米组装结构的技术，提出了一种在无表面......
光学微纳米线作为微纳光子回路和器件的一维构成单元,在光调制、波长转换、近场成像等应用方面已经引起了人们的高度重视。目前,对......
利用天然竹材炭化后的竹炭为模板,无水乙醇为溶剂,分别以钛酸异丙酯为钛源,正硅酸乙酯为硅源,结合溶胶～凝胶法合成了金红石型TiO2及......
用线宽0.58微米声表面波(SAW)双叉指换能器(4F叉指换能器)的三次谐波通带制成了无外部滤波和匹配网络的2千兆赫SAW振荡器.本文以亚......
第三代半导体材料中的ZnO(Zinc Oxide),其室温下的禁带宽度为3.37eV,且激子束缚能高达60meV,是制作光电子器件的理想材料。ZnO这种......
1、产品及其简介公司立足自主创新，攻克了12英寸硅单晶生长的热场设计和安全、杂质和缺陷的控制、硅片几何参数的精密控制、表面金......
