硅单晶抛光片相关论文
本文主要分析了经过热氧化后的硅单晶抛光片出现的位错、层错等二次缺陷的形成原因,以及二次缺陷对晶体管生产工艺中管芯成品率的......
该文研究了用ＳＶＧ－１８ＤＷＣ双面擦片机擦洗经ＲＣＡ工艺清洗后的抛光片表面。结果表明，结果表明：经ＳＶＧ－１８ＤＷＣ双面擦片擦洗后抛光片的表面颗粒有明显的减少，经ＷＩＳＣＲ－８０测试Φ......
该文对硅单晶新生抛光镜面活性状态及其与环境吸附质之间的相互作用的动力学过程进行了分析研究。提出了两类吸附质状态的控制模型......
1、产品及其简介rn公司立足自主创新,攻克了12英寸硅单晶生长的热场设计和安全、杂质和缺陷的控制、硅片几何参数的精密控制、表面......
报导，由北京有色金属研究总院承担的“直径200mm(8英寸)硅单晶抛光片高技术产业化示范工程”不久前通过国家验收。这是我国建设成功......
<正> 由北京有色金属研究总院承担的“直径200mm(8英寸)硅单晶抛光片高技术产业化示范工程”项目已通过国......
2月27日至3月1日国家高新技术产业开发区知识产权工作会议在长春召开。会议就《关于加强国家高新技术产业开发区知识产权若干意见......
我国第一根直径18英寸(450毫米)直拉硅单晶日前在北京有色金属研究总院研制成功,这标志着我国大直径硅单晶研究进入世界领先行列。......
中国半导体材料经过40多年的研究与开发,已具备了相当的基础,特别是在改革开放以后,中国半导体材料获得明显的发展,除满足国内市场......
1、产品及其简介公司立足自主创新，攻克了12英寸硅单晶生长的热场设计和安全、杂质和缺陷的控制、硅片几何参数的精密控制、表面金......
