锑掺杂相关论文
由于锌黄锡矿（Kesterite）结构的铜锌锡硫硒（Cu2ZnSn（S,Se）4,CZTSSe）半导体材料具有带隙可调（1.0-1.5 eV）、吸收系数高(104 cm-1),而且组成......
二氧化钛导电粉作为一种功能材料，主要以导电填料的形式应用于高分子材料中。与传统的碳系和金属系导电粉相比，二氧化钛导电粉颜色浅......
一种基于来自n型半导体材料的电子与来自p型半导体材料的空穴在界面实现全界面的复合,实现对能带的有效调节,使得Zn O本征的紫外发......
锑掺杂二氧化锡(ATO)纳米粉体是一种极具发展潜力的透明导电材料,由于其异于其它导电材料的性能,在工业的许多领域都有良好的应用......
采用真空蒸发法在玻璃衬底上制备纯的和金属Sb掺杂的CdTe薄膜,在氩气的保护下对薄膜进行不同条件的热处理。并采用X射线衍射仪、原......
ZnO是一种直接带隙的宽禁带半导体材料，室温下禁带宽度为3.37e V，激子束缚能高达60meV，这些优点使其在紫外光电器件方面有着广泛的应......
介绍了重掺锑硅单晶生长和应用中的主要特点，并对单晶生长过程中出现的关键问题，如锑的挥发、氧含量减少的原因进行了探讨并提出了一......
利用模拟在线CVD镀膜的实验设备,通过改变原料参数而在玻璃表面制备了ATO系列薄膜样品,并通过紫外-可见-近红外分光光度计、XRD、S......
以ZnO和Sb2O3为前驱物,在5GPa、1100～1450℃条件下,制备出电学性能稳定的掺Sb的p型ZnO（记作ZnO：Sb）。其中1450℃掺杂4.6%Sb时合成了性......
采用浸渍法制备了一系列Sb掺杂的Mn-Ce-Sb/TiO2催化剂,考察了Sb/TiO2摩尔比对催化剂脱硝性能的影响,采用X射线衍射、N 2吸附-脱附......
采用脉冲激光沉积方法在石英衬底上生长了掺锑(Sb)的p型ZnO薄膜.X射线衍射测试表明薄膜具有c轴择优取向的结构特性,霍尔测试表明Zn......
采用化学气相沉积（CVD）方法，在无催化剂的条件下，生长出了锑掺杂的超长、大尺寸ZnO微米线。测试表明微米线的平均长度可达1~2.5 cm，微米......
采用非水溶剂溶胶一凝胶法制备了粒径为10nm左右的SnO2基纳米气敏材料，制作成烧结型气体传感器，通过锑的掺杂来提高纳米SnO2气体传感......
锂离子电池具有高效、环境友好和高能量密度等特点,是移动电子器件、电动汽车与智能电网的主要储能装置。富锂锰基正极材料(LLMO)......
以SnCl4·5H2O和SbCl3为原料,采用喷雾热分解法在管状石英玻璃基材上制备出Sb掺杂的SnO2透明导电薄膜,并采用X射线衍射仪（XRD）和......
基于多靶射频磁控溅射技术,结合快速光热退火后处理制备了Sb掺杂Si3N4基Si量子点（SiQDs）薄膜。采用透射电镜、掠入射X射线衍射、拉曼......
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电化学水处理技术是一种较新颖的物化处理技术,其关键在于所用阳极。本文针对电化学水处理中研究较为普遍的钛基体锑掺杂二氧化锡......
