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研究存储器数据保持时间的温度加速效应,建立数据保持时间寿命预测方法和温度加速模型,实现应用温度数据保持时间的准确预测.通过......
介绍了一种由两个交叉耦合反向器构成的6-晶体管(6-T)存储单元的噪声容限分析方法。对6-T CMOS SRAM单元的稳定性作了分析及仿真。......
近年来,铁电存储器因具有低功耗、读写速度快、器件尺寸任意减小性和存储密度高等优点而得到广泛关注,其中金属／铁电／绝缘层／硅(MFIS)......
近日，大森包装机械长空包装机械有限公司签约开目公司，希望通过运用开目PDM系统建立周密的产品数据管理体系，设立完善的产品研发机制，......
在无线通信系统中,随着集成电路特征尺寸的不断缩小,芯片漏功耗急剧增大,漏功耗减小技术已成为低功耗无线通信系统设计技术的焦点......
学习了朱之鑫局长在全国统计工作会议上的讲话，使我对县级调查队的工作更加有了信心和力量。 做为一个国家抽中的调查县，县队的工......
进入2011年以来，信贷数据和货币数据保持紧缩，M1、M2一路下跌，9月份M1同比降至8.9%，M2降至13%的低位，较年初制定的16%目标增速低了3个百......
2012年以来,金融数据保持强劲扩张念势,但经济数据显示宏观经济增长动力不是,出现货币宽松与实体经济偏冷的现象。为深入了解金融......
为了提高我国对外贸易的竞争力,使我国的产品生产、仓储和流通等各方面的数据能够与国际统计数据保持一致,提高我国产品统计的准......
在刚刚过去的2013年,以电商和互联网企业为代表的IT先驱们不断试水大数据业务,电信、金融以及保险等传统行业也对大数据的发展前景......
介绍一种新的电导率测量方法,该方法采用方波进行测量并选择合适的点进行取样,同时使用半导体恒温器进行恒温,减小了电极的极化现......
申请公布号：CN105579980A 申请号：2013800798852 申请人：仁荷大学校产学协力团 地址：韩国仁川 发明人：金德焕 Int. Cl.：G......
随着型号工程对电气系统长期贮存能力要求的不断提高,电气系统中程序或数据存储器对数据的保持能力变得尤为重要。本文基于阿伦尼......
对Flash存储器的擦写耐久与数据保持试验方法的国内外标准进行了调研,通过对浮栅型NAND Flash存储器可靠性试验对各影响因素进行研......
程序备份和手动备份定时或不定时执行一般的数据备份应用都提供作业调度程序,它可以按照所定义的时间安排,自动地执行上面列出的备......
数据同步技术可以使异地数据中心中的数据保持一致,但缺少监管文件更新机制,不能实现数据的实时同步。以Unix、Linux、Windows等系......
随着大型商业银行2015年年报的逐一披露,中国银行业的基本情况最终得到市场各方确认;以国际惯例对核心数据进行标杆分析,以大型银......
对0.5μm叠柵一次编程(OTP)存储器工艺进行研究,通过选择介质(ONO)工艺条件,选择合适单元尺寸,增加(SIN)保护,优化单元侧面工艺等,......
针对与非型快闪存储器(NAND FLASH)的耐久、数据保持、编程干扰、读干扰等可靠性指标,分析当前可靠性评价中面临的困扰及国内外现......
提出了一种数据保持的高效插值算法,该方法首先采用零值内插提高采样率,降低带宽比例因子,再利用数据保持与一级CIC滤波器结合的方......
Ramtron宣布推出FM24CL32，提供具高速读／写性能．低电压运行．以及出色的数据保持能力的串口非易失性RAM器件。FM24CL32是32Kb非易失性存......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
页面之间数据的传递与保持是实现网站与用户交互的重要手段之一，也是Web应程序的基本功能，它的实现效率对程序性能有直接的影响。无......
数据保持能力一直是评估非挥发性存储器可靠性的重要组成部分。栅氧化层的缺陷和浮栅的表面正离子均会诱发存储在浮栅里面的电子跃......
针对增量编码器使用过程中,常发生因PLC断电或故障而导致编码器数据丢失,使得设备运行出现异常的问题,利用PLC的功能和特性进行编......
EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory),电可擦写只读存储器,是一种掉电后数据不丢失、可在线重复擦写编......
在0.18μm通用平台上加入一次性编程单元(OTP)后组成的衍生工艺被广泛应用于微控制单元(MCU)设计,由于OTP的尺寸非常小,为了使OTP......
聚偏二氟乙烯(PVDF)以及二氟乙烯、三氟乙烯的共聚物P(VDF-TrFE),具有自发极化强度相对高、极化稳定性强、极化翻转时间短等优点,......
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随着晶体管制造工艺尺寸的不断缩小,阈值电压降低,导致静态功耗成指数级增长,降低静态功耗已经成为CMOS集成电路设计中越来越重要......
文章通过电离总剂量效应、擦写循环和数据保持试验及其叠加试验,研究了总剂量效应对浮栅型Flash存储器擦写耐久和数据保持特性的影......
