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采用平面选择注入隔离工艺制作MESFET及旁栅电极,通过改变半导体特性测试仪的延迟时间参数,深入研究了不同沟道电流的数据采集时间......
主要研究了平面选择离子注入隔离工艺条件下的GaAsMESFET的旁栅效应，分别设计了不同的测试方法来分析旁栅效应的多种特性，并从理论上......
旁栅效应是影响GaAs器件及电路性能的有害寄生效应.本文研究了旁栅阈值电压Vth SG与旁栅距LSG的关系,发现Vth SG的大小与LSG成正比......
探讨了GaAs MESFET旁栅效应迟滞特性的产生机理，通过详细地分析论证，认为GaAs MESFET旁栅效应迟滞特性与器件的沟道一衬底界面区的电......
旁栅效应是制约GaAs器件及电路性能的有害寄生效应.文中理论推导并实验研究了旁栅阈值电压VthSG与旁栅距LSG的关系,发现VthSG与LSG......
GaAs器件与电路具有速度高、功耗低、噪声小、耐高温、抗辐射等优点，在光纤通信、卫星、超高速计算机、高速测试仪器、移动通信和航......
