浅沟道隔离相关论文
现已开发出了用于浅沟道隔离(STI)、铜CMP和低k介质的新型材料.90 nm以及下一代技术节点的新型器件要求在软接触CMP条件下减少缺陷......
总剂量辐照效应会在器件氧化层中引入固定电荷和界面态。对于深亚微米CMOS器件而言，栅氧化层非常薄，固定电荷和界面态的变化不明显，而......
在半导体制造工艺流程中，浅沟道隔离（STI）工艺环节中的Si损伤一直是个困扰的问题。由于Si损伤的存在，造成5％－10％的良率损失，同时，严重影响产......
当集成电路的特征尺寸小于0.25μm时,浅沟道隔离(STI)逐渐成为CMOS工艺器件隔离的标准工艺技术。相比较于硅石(silica)研磨液,二氧......
概述了ITRS对铜互连工艺提出的要求及90～65nmCMP技术所面临的挑战,介绍了W熏STI熏Cu/低k材料CMP及其清洗和终点检测技术的发展现状,......
随着CMOS工艺按比例缩小到90nm以下,浅沟槽隔离(STI)引起的机械应力对MOSFET器件性能的影响越来越严重。通过实验和TCAD仿真研究了......
浅沟道隔离是目前大规模集成电路制造中用于器件隔离的主要方法,而化学机械平坦化(CMP)技术是当今半导体制造中形成浅沟道隔离(STI......
