平坦化工艺相关论文
现已开发出了用于浅沟道隔离(STI)、铜CMP和低k介质的新型材料.90 nm以及下一代技术节点的新型器件要求在软接触CMP条件下减少缺陷......
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本文主要介绍一种实用的双层布线介质平坦化工艺—旋涂玻璃(spin-on-glass),对SOG的分子结构、工艺流程、等离子刻蚀、平坦化等进......
InP HBT具有非常突出的频率特性、良好的器件一致性以及击穿特性，是实现超高速数字/数模混合电路的最佳选择。论文对InP HBT器件及......
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随着大规模集成电路工艺技术的发展,针对越来越小的加工尺寸,在半导体刻蚀工艺中对亚微米及以下尺寸首选的蚀刻方式就是反应离子刻......
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