低k介质相关论文
在极大规模集成电路(GLSI)的制程中,化学机械平坦化(CMP)是目前唯一能够实现多层铜布线局部与全局平坦化的技术。经过CMP处理后,晶......
现已开发出了用于浅沟道隔离(STI)、铜CMP和低k介质的新型材料.90 nm以及下一代技术节点的新型器件要求在软接触CMP条件下减少缺陷......
使用化学机械抛光(CMP)的方式,对商用芯片进行拆解,获得了不同制造工艺的铜/低k介质互连结构样品。通过对所获得的32 nm制造工艺的......
在简要介绍多层互连材料的基础上，论述了若干种IC芯片制备中的多层互连技术，包括“Cu线＋低k双大马士革”多层互连结构、平坦化技术、C......
制作高Q值在片集成电感一直是体硅CMOS射频集成电路工艺中的一大难点,文章讨论和分析了体硅RF IC工艺中提高在片集成电感Q值的几种......
半导体集成电路技术的发展对互连技术提出了新的需求，互连集成技术在近期和远期发展中将面临一系列技术和物理限制的挑战，其中Cu互连......
介绍了低k介质材料的研究和发展状况,从制备方法和材料特性等不同角度对低k材料进行分类,并结合ULSI对低k材料的要求讨论了低k材料......
针对常见的低南介质材料分析了其化学机械全局平坦化的机理，并进一步探讨了低南介质化学机械抛光中包括压力、磨料、pH值和温度在内......
大马士革（Damascene）结构的Cu／低k介质材料互连技术为集成电路芯片制造提出了方向和挑战。电化学机械平整化（ECMP）作为化学机械平整化（CM......
阐明了低κ介质与铜互连集成工艺取代传统铝工艺在集成电路制造中所发挥的关键作用。依照工艺流程，介绍了如何具体实现IC制造多层互......
随着集成电路产业的不断发展,铜互连特征尺寸不断降低,布线层数不断增加,互连引线延迟(RC延迟)成为不可忽视的制约集成电路发展的......
随着集成电路特征尺寸的不断减小至32nm甚至以下时,互连线延迟成为了提高集成电路整体性能的瓶颈。本论文针对降低先进互连的RC延......
随着CMOS器件工艺特征尺寸的减小,热问题成为深亚微米集成电路设计中最具挑战的问题之一。互连线温度估计在深亚微米集成电路设计......
SOI(Silicon On Insulator)高压集成电路(High Voltage Integrated Circuit, HVIC)因其隔离性能好、漏电流小、速度快、功耗低和抗......
随着超大规模集成电路的发展,互连RC延迟越来越大,严重制约了芯片的运行速度。为了降低RC延迟,0.13μm的工艺技术开始采用低介电常......
集成电路的发展趋势是集成密度的不断增加,伴随着特征尺寸的不断减小,互连延迟已经成为影响芯片速度的主要因素之一,而其中全局互......
