分凝相关论文
为了研究核爆粒子中放射性核素分凝的影响因素和规律,基于Freiling 的半经验分凝模型和放射性衰变链的Bateman 公式构建核爆粒子放......
基于非共沸混合工质自复叠原理应用于喷射制冷循环的研究，对一级分凝和二级分凝自复叠喷射循环进行了理论分析，研究了使用R134a/R23......
本文叙述了采用两温区水平炉由铟、砷和磷三种元素直接合成并采用熔区法生长磷砷化铟固溶体的设备及其主要工艺;给出了材料的主要......
(一)实验 1.620℃低温退火对单晶缺陷的影响 620℃下1h,用OS法对比退火与非退火单晶。 2.停炉条件的影响 单晶收尾后以38.1cm/h的......
计算了Ⅲ－Ⅴ族五元系化合物ＡｌＧａＩｎＰＡｓ与ＧａＡｓ晶格匹配时的等能隙曲线以及液相外延生长ＡｌＧａＩｎＰＡｓ／ＧａＡｓ所用母液中Ａｌ的分凝系数。实验证明，由于Ａｌ的分凝，使过冷度对Ａｌ－ＧａＩｎＰＡｓ外延层......
一、真空分凝过程中杂质的行为Pfan〔1〕曾推导了熔体定向凝固(也称正常凝固)和一次区域熔化杂质浓度沿锭长的分布方程:定向凝固:......
美国商业部报道,国家标准局的研究人员发明了一种测定二元合金临界热力学数据的方法。例如可根据 X 射线光电光谱测定分凝热。W.F......
高锰钢制动轮的断面很薄,冷凝快,浇铸后,浇口附近的温度和其他部分的温度往往相差很多,当其他部分凝缩时,浇口附近还处于脆弱的胶......
三、固体表面的组成和平衡分凝固体表面的组成对其许多物理和化学性质都往往起决定性作用。例如,催化剂表面的催化活性,合金表面......
采用电子束熔炼工艺提纯了冶金级硅材料。硅中重要杂质元素Al在制备铸锭中的分布不均匀,呈现出由底部到顶部、由边缘到中心的富集......
研究了移动加热器法生长CdMnTe晶体的生长界面。采用传统摇摆炉和垂直Bridgman炉合成多晶原料,并比较了不同多晶原料对移动加热器......
目前,有关稀土-过渡金属间化合物LaNi5的晶体结构、化学组成及吸氢特性的研究已有许多报道[1],并在一些国家作为储氢材料开始应用.......
应用定循环运行压比优化方法,对采用环保型二元混合工质的单级压缩一次分凝循环,进行了-60℃温度位的循环性能数值优化。计算结果......
霜是由空气中的水气凝结成的。近地面温度夜里降到0℃以下时,空气中的水分凝到物体上就变成霜。地面上的温度降低和霜的形成,基本......
天冷时吹笛,膜常会被笛管内凝结的水所浸湿,于是好端端的笛音立时变得沙哑甚而吹不响,兴致勃勃的演奏会因此突遭干扰乃至不得不中......
二元合金半导体晶体生长的径向组分均匀性是一个重要参数。影响径向分凝的因素很多,如对流、弯曲的凝固界面、弯曲的熔化界面等。......
四方相ＰＭＮＰＴ单晶的生长和结构许桂生罗豪沈关顺齐振一乐秀宏李金龙仲维卓殷之文（中国科学院上海硅酸盐研究所，上海２０１８００）ＧｒｏｗｔｈａｎｄＳｔｒｕｃｔｕｒｅｏｆＳｉｎｇｌｅＣｒｙｓｔａｌＰＭＮＰＴＸｕＧｕｉｓｈｅｎｇＬｕｏＨａｏｓｕＳｈｅｎＧ...
Growth and stru......
基于实际定向凝固系统的对称性，采用线性近似方法计算了柱坐标系中、扩散控制条件下二元合金走向凝固时微弯曲固液界面导致的溶质径......
随着研究生产高质量HgCdTe晶体的工作日益增多,HgCdTe作红外探测器材料用的潜力正在被越来越多的认识到。因为存在高的汞蒸汽压、......
本文导出了有关液封法拉制砷化镓单晶的分配—分凝方程,并讨论了提高GaAS单晶的纵向均匀性的有效途径。一、前目目口目前由于砷化......
多晶硅目前正广泛地应用于大规模集成电路、P-N结器件和太阳电池等领域之中,但是,由于多晶硅中存在着大量的晶粒间界,晶粒间界既......
表面和界面物理,是当前物理研究中的一个重要领域,它不但有重要的理论意义,更主要是由于它在近代技术的应用中有巨大潜力,许多物......
本文用霍耳、SIMS、电化学C-V和光致发光等方法,研究了在550℃至950℃生长温度范围内 LPE GaAs中Ge的分凝行为以及占Ga位Ge原子与......
为深入研究晶体生长的微分凝行为与热场及生长参数对它的影响,本工作采用了生长界面线的方法,在普通单晶炉内,坩埚外面放置同心的......
轻掺杂多晶硅的低温退火特性揭示了来自二氧化硅层中的氧对多晶硅电学行为有重要影响。本文从实验上进一步证实了氧在多晶硅晶界引......
采用坩埚下降法生长了尺寸为φ12mm×70mm的0.80Na1/2Bi1/2TiO3–0.20BaTiO3(0.80NBT–0.20BT)无铅铁电单晶。通过X射线荧光分析研......
高压氧化Ｇｅ＿ｘＳｉ＿（１－ｘ）／ｓｉ过程中Ｇｅ分凝和陷阱之间的转换＝ＴｒａｎｓｉｔｉｏｎｂｅｔｗｅｅｎＧｅｓｅｇｒｅｇａｔｉｏｎａｎｄｔｒａｐｐｉｎｇｄｕｒｉｎｇｈｉｇｈ－ｐｒｅｓｓｕｒｅｏｘｌｄａｔｉｏｎｏｆＧｅ＿ｘＳｉ＿（１－ｘ）／Ｓｉ［刊．英...
Transition between Ge fractionation and trapping during high-pressure oxidati......
采用液封直拉(LEC)法制备了掺Fe半绝缘磷化铟(InP)晶体,通过电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)法和辉光放电质谱(GDMS)法等直接测试元......
利用锗硅单晶 (锗浓度约为 10 19cm-3 )切制成的籽晶和一般无位错硅单晶生长的缩细颈工艺以及从晶体头部至尾部平稳降低拉速的工艺......
本文作者报道了一例由Passovoy因子引起的家族性常染色体显性遗传的出血性疾病,发生在一个家族4代5个成员中。患者除部分凝血活素......
研究了用改进的Bridgman法生长的PMNT62/38单晶在其生长过程中的分凝现象,研究了分凝导致的成分不均匀及其对介电和压电性能的影响......
研究了用改进的Bridgman法生长的PMNT62／38单晶在其生长过程中的分凝现象，研究了分凝导致的成分不均匀及其对介电和压电性能的影响。......
晶体生长过程中由于溶质＂分凝现象＂的存在,会造成生长出来的晶体沿轴向不均匀分布,从而制约了大尺寸、超长、高均匀性晶体的生长。因......
基于天然工质应用于自复叠制冷循环的研究，对一级分凝和二级分凝自复叠制冷循环进行了理论分析，讨论了使用天然工质R600a／CO2作为非共......
<正> 一、引言激光退火是近几年发展起来的新技术.它不但能使离子注入时形成的无定型半导体表面层恢复为单晶,而且可使汽相淀积或......
利用带活动边界的“D＇Alembert变分法”分析了硅片的氧化过程及此过程所引起的硅中杂质的再分布.氧化过程的理论分析结果及对两种常......
在定量估算的基础上，明确了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ晶体ＡＣ－ＲＴ－Ｂ法生长过程轴向溶质再分配的 经条件，导出了计算公式。以ＨｇＴｅ－ＣｄＴｅ伪二元相图为基础进行了计算表明，按照远红外......
利用ＭＲ３５８单晶炉进行ＬＥＣ ＧａＡｓ单晶试制，采用原位合成工艺，不规则形状控制系统自动控制单晶的生长，对晶锭进行退火处理前后所做的电学及晶体完整性......
利用锗硅单晶（锗浓度约为10^19cm^-3)切制成的籽晶和一般无位锗硅单晶生长的缩细颈工艺以及从晶体头部至尾部平衡降低拉速的工艺，生......
基于非共沸混合工质自复叠原理应用于喷射制冷循环的研究,对一级分凝和二级分凝自复叠喷射循环进行了理论分析,研究了使用R134a/R2......
定向凝固是去除硅中金属杂质的主要技术,利用杂质在硅中的分凝效应将其富集到最后凝固区域,杂质分凝效果取决于其在固液界面前沿传......
