后退火相关论文
近年来,宽禁带半导体材料的相关研究如火如荼。其中,氮化铝（AlN）是典型的超宽禁带半导体材料,其禁带宽度高达6.2 eV。作为直接带隙半......
顺应生产发展对节能环保的要求,大规模发展清洁能源已是大势所趋。太阳能发电作为清洁能源的一种,近年来发展迅速,而硅太阳电池因......
高温超导材料在强电和弱电领域中的应用都非常广泛,超导薄膜可在以薄膜基础的微电子学器件上首先突破应用。高温超导材料YBa2Cu4O8......
学位
本文通过采用射频磁控溅射法制备Mg掺杂Ga_2O_3薄膜,并研究双靶交替溅射和混合靶材直接溅射两种掺杂方式对薄膜性质的影响;之后选......
近几十年以来,Si、Ge作为代表性的四族半导体材料,因其特殊的性质以及在信息、能源、环境等材料领域的应用潜力,为新型固态电子、......
利用一种共蒸发及后退火的方法制备出包埋在氧化镁薄膜基质中的氧化锌量子点.经过退火之后进行的X射线衍射(XBD)实验表明了氧化锌......
近年来,随着电子信息技术、通讯技术、超大规模集成电路等方面的发展,芯片的尺寸越来越小,要求的工作电压也越来越低,这就对保护电......
采用溶胶-凝胶旋转涂敷方法在普通玻璃衬底上生长ZAO薄膜．每涂敷1层薄膜，都要在一定的温度下对薄膜进行1次热处理，连续涂敷7层。最后......
在室温下，应用磁控溅射法制备了CoCrPt（25nm）／Ag（40nm）纳米颗粒薄膜，随后进行了退火CoCrPt靶和Ag靶分别采用射频溅射和直流对靶溅射模式．用......
通过浸涂法在银圆线表面制备了Bi2Sr2Ca1Cu2Ox（Bi-2212）超导厚膜.在热处理过程中,局部熔化温度和固相烧结温度对Bi-2212相的形成起关......
应用SILVACO仿真软件，对N、P区杂质浓度分别为1×10^16和1×10^17cm^-3的非晶硅薄膜太阳能电池进行了后退火工艺仿真研究．结......
太阳能光伏发电技术因其具有高效、清洁、取之不尽等优点越来越受到国际能源产业的青睐。而太阳能电池发展过程中提高电池光电转换......
本文提出在高真空镀膜系统中通过化学气相沉积（CVD）的方法沉积高纯度的先驱B膜,再经过后退火工艺,Mg扩散进入先驱膜而反应生成了MgB2......
采用溶胶-凝胶非硫化方法制备了表面平整、致密的铜锌锡硫薄膜.XRD及Raman分析表明制备的铜锌锡硫薄膜为锌黄锡矿结构.能谱分析表......
<正> 一、现状对热处理工序进行价值分析和成本控制的必要性在于: (1)热处理工序的成本占零件制造成本的比重,随着机械装置对金属......
Cu2ZnSnS4(CZTS)系太阳能薄膜电池是在Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜太阳电池基础上发展起来的新型化合物半导体光伏器件。CZTS系半导体......
随着科学的进步和微电子技术的飞速发展,硅基集成电路的集成度越来越高。而集成度的提高是以其核心器件金属-氧化物-半导体场效应......
