二维过渡金属二硫化物(2D TMDs)由于其原子层厚度、合适的带隙和较高的迁移率等优点而被认为是应用于消费电子产品领域的高潜力候......

针对4H-SiC射频大功率MESFET,建立了一个解析的陷阱效应模型,该模型采用简化参数描述方法,并结合自热效应分析,从理论上完善了SiC ......

介绍了以MESFET构成的微波放大器的2种稳定化方法;在栅漏间或栅源间插入RCL串联支路.分析了在这两种方法中,稳定化因子K以及电路增......

采用在75 mm 4H-SiC半绝缘衬底上实现的国产SiC MESFET外延材料进行器件研制,在该器件的具体研制工艺中利用感应耦合等离子体干法......

针对SiC衬底缺陷密度相对较高的问题，研究了消除或减弱其影响的工艺技术并进行了器件研制。通过优化刻蚀条件获得了粗糙度为2.07nm......

SiC金属．半导体场效应晶体管的工艺研制中，通常需要有源区之间的隔离。现常用刻蚀隔离的方法，但这一方法存在细栅条跨越隔离台阶的问......

建立了4H-SiC MESFETs的模型,运用二维器件模拟软件MEDICI对4H-SiC MESFETs的高频小信号特性进行了研究.利用正弦稳态分析的方法对......

进行GaAs MESFET的热电子应力试验,在24V≤VDS≤28V,-5.5V≤VCS≤-4 V的应力条件下,热电子效应将导致GaAs MESFET直流参数的严重退......

用低压金属有机气相外延(LP-MOCVD)在InP衬底上生长出较高质量的GaAs材料,并对材料进行Raman、光致发光(PL)谱的测试分析,结果表明......

新型宽禁带半导体材料SiC兼有高饱和电子漂移速度、高击穿电场、高热导率等特点,在高温、大功率、高频、光电子、抗辐射等领域具有......

基于碳化硅金属-半导体场效应晶体管内部载流子输运的物理特性分析,建立适于精确计算4H-SiCMESFET器件大信号电流-电压特性和小信......

X射线双晶衍射法(XRD)能够分析生长材料的结晶完整性、均匀性、层厚、组分、应变、缺陷和界面等重要信息,同时具有非破坏性、精度......