直流模型相关论文
石墨烯因其独特的电子和结构特性,近年来引起了国际上相关领域学者广泛的关注和研究。这种单原子层厚的二维平面晶体材料表现出一......
近年来,在无线通信产业的带动下,半导体相关产业开始了飞速发展,随着晶体管特征尺寸的减小,平面型器件的短沟道效应愈发严重,其性......
由于直流电机其良好的调速性能,直流供电方式在地铁系统中广泛应用。地铁的运营造成周围交流电网中接地变压器的直流偏磁故障,从而......
近些年智能家居的兴起和手机、电脑等通信设备的快速更新迭代离不开物联网和无线通信技术的快速发展。在这些市场需求背后起到重要......
简要介绍了电力系统仿真软件(PSS/E)动态仿真的基本原理.PSS/E中的直流模型可以分为两类:一类考虑直流线路电感暂态过程和高频控制......
针对交直流电力系统的稳定性研究中缺乏一种标准的直流模型以及存在不同详细程度的直流模型的问题,基于文献中常见的EPRI直流模型......
讨论了目前研究交、直流混合电网交直流系统相互作用时在直流建模上存在的模型过度简化及模型选用不恰当的问题;分析了稳定性研究......
MOS3模型对于沟道长度在1微米的器件的数字分析有良好的适用性,但随着集成电路工艺的不断发展,MOSFET沟道长度进一步减小,生产工艺......
常用的MOSFET模型模型参数多且复杂,在保证精确度的基础上应尽量简化模型。尝试采用目前比较成熟通用的MESFET非线性等效电路经验......
基于新型带功率校正(PFC)的三相AC/DC整流器的工作原理,得出了其稳态运行时的直流简化模型.实验表明,这种模型能正确地反映原电路......
对于同步整流BUCK型开关电源的转换效率,传统的分析方法得出的结果比较精确,然而过程相当繁琐,无法快捷预知其结果和预先对设计电......
提出了一种ＧａＡｓ双栅ＭＥＳＦＥＴ的ＰＳＰＩＣＥ直流模型，分析了ＧａＡｓ双栅ＭＥＳＦＥＴ漏极电流与两个控制栅偏置电压之间的关系，给出了漏极电流表达式。通过提取适当的模型参数，其直......
提出一种新型的多晶硅薄膜晶体管电流-电压物理模型，考虑了陷阱态密度的V形指数分布,运用Lambert W函数推出了表面势的显式求解方法......
该文介绍器件物理法造型的基本步骤和方法，指出在建立NPN晶体三极管造型的过程中，如何选取物理变量，建立和简化模型方程，最终得出NPN晶......
本文介绍一种基于全数字电力系统仿真器的直流控保封装建模方法,利用软件提供的用户自定义模块功能,创建出一定数量的自定义模块来......
确定合理的换流站无功平衡和投切策略是直流输电系统安全稳定运行的基础。阐述了交直流系统的无功功率需求和无功补偿设备容量的确......
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本文介绍了500kV自耦型变压器一、二次电流的关系和电流互感器(current transformer,CT)极性测试的基本原理,分析了两种CT极性测试......
讨论了目前研究交、直流混合电网时在直流建模方面存在的模型过度简化及模型选用不恰当问题;分析了稳定性研究中直流建模的一般方......
相比于非晶硅(amorphous silicon,a-Si)和多晶硅(polysilicon,poly-Si)薄膜晶体管(Thin-Film Transistors,TFTs),以非晶InGaZnO(a-......
由于晶体管的特征尺寸随着集成电路技术的迅速发展而逐步缩小到纳米技术节点,其小尺寸效应影响愈加明显,器件尺寸的进一步缩放受到......
本文首先介绍了电子器件计算机模拟的分类、MOSFET的建模发展动态、对器件模型的要求以及模型参数的提取方法。在第二章中建立了MO......
以非晶铟镓氧化锌(a-IGZO)为代表的非晶金属氧化物半导体被视为下一代薄膜晶体管(TFTs)技术的有力候选者。在多个产业领域,特别是......
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