场发射性质相关论文
新型冷阴极纳米功能材料由于在平板显示、微波放大器、毫米波器件、传感器、新型光学及光电子器件领域有着十分重要的应用前景,因......
采用垂直石墨烯为阴极进行场发射性质测试，结果表明生长在铜基底上的垂直石墨烯具有低的开启电场和闽值电场。为了提高一维纳米材料......
本文介绍了在真空条件下,通过饱和蒸汽反应来制备K(TCNQ)纳米花簇的方法,并对其进行了XRD、Ra-mn光谱分析,研究了其场发射性质。......
利用射频磁控溅射沉积方法,在c-轴取向上石墨片衬底上,没有衬底加热和负偏压的条件下首次制备出高质量的cBN 厚膜.研究了实验中涉......
概述了有序纳米线/棒/管阵列的性质、应用及制备方法的研究进展,着重介绍了有序纳米线/棒/管阵列材料的制备方法如气相-液相-固相......
有机电荷转移盐复合物Ag-TCNQ和Cu-TCNQ具有独特的电学、磁和光学双稳态特性，在微电子器件、分子电子器件和大容量存贮器方面有着广......
获得电流发射阈值更低和饱和发射电流更大的场发射阴极材料是场致电子发射以及场发射平板显示中的关键问题。其中，纳米尺度的结构优......
随着微电子技术的发展,集成电路的尺寸日益逼近其物理极限。因此发展有效的方法来制备更小尺寸的微纳电子器件就成为一个至关重要......
本文对金属氧化物纳米结构的制备及其场发射性质进行了研究。文章中首先阐明了金属氧化物在纳米材料应用中的进展，然后介绍了各种制......
通过 Fe3O4纳米粒子为催化剂,使用钼网作为模版,在 Si(111)基底上采用碳热还原化学气相沉积的方法实现了硼纳米线的图案化制备......
该文使用N/CH气源系统,以微波等离子体辅助化学气相沉积法(MW-PCVD), 在多孔二氧化硅基底上和硅基底上分别生长了定向的N掺杂碳纳......
氮化硼(BN)是一种性能优异，极具发展潜力和广泛应用前景的新型宽带半导体材料。其晶体主要有两种结构形式：sp~2杂化结构的六角氮化硼......
纳米科技包含纳米材料，纳米器件，纳米尺度的检测和表征三个主要方面。其中，纳米材料是纳米科技的基础，由此才可以进一步构建纳米器件及......
在本论文中，主要采用水热方法合成了CuO纳米棒和α-Fe2O3纳米棒，通过XRD、SEM和TEM对其晶体结构和形貌进行了表征，研究了它们的气体敏......
场发射显示器(Field Emission Display,FED)具有轻薄、功耗小、图象质量好等优越特性,被认为是下一代理想的平板显示器。碳纳米管......
场发射在扫描电子显微镜、平面显示器、压力传感器、加速度传感器以及电子束可寻址记忆器件等许多领域中得到了广泛的应用．分子基材......
本文采用热灯丝CVD法在硅尖上制备了纳米金刚石膜，并研究了硅尖上纳米金刚石膜的场发射性质，实验结果表明，硅尖上纳米金刚石膜的场发......
氮化硼(BN)是一种应用极为广泛的Ⅲ-Ⅴ族半导体材料,BN膜通常是利用物理及化学气相沉积的方法获得的。沉积BN膜所用衬底材料一般为......
本论文采用混合溶剂热法合成了各种硫属半导体纳米/微米材料,探讨了产物的形成机理,并对产物进行初步的性能探索。在乙二胺—水—......
本论文发展了基于液相和固相制备稀土纳米材料的合成方法,旨在探索可用于稀土发光标记物纳米材料的控制合成及温和条件合成稀土硼......
碳纳米管(carbon nanotube,CNT)是1991年被发现的一种具有准一维管状结构的纳米材料。其独特的结构和奇特的性质使得它在纳米电子......
国际半导体技术蓝图（ITRS）预言了先进Complementary Metal-Oxide-Semiconductor（CMOS）器件尺寸缩减的趋势。当栅层的等效氧化厚度小于1......
