发光中心相关论文
荧光粉是白光LED中不可或缺的组成部分,开发出性能优异的荧光粉成为众多科研人员追求的目标。A2B’B"O6型钙钛矿氧化物具有丰富结......
通过调节基质组份比例,研究了SrAl2xO3x 1:Eu2 ,Dy3 (x=1-2)荧光粉晶体结构,发光性质及长余辉特性。选取硝酸锶和硝酸铝作为基质原......
钨酸铅晶体是一种新型无机闪烁材料，本文切割并用X射线衍射法定向了用改进的坩埚下降法生长的两块无色透明钨酸铅晶体。用群论分析......
为了分析干法刻蚀对应变多量子阱(SMQWs)发光特性的影响,采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术对金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长......
通过对光激励发光读出过程中各种电子转移过程的分析,建立了描述该过程的动力学方程组,通过求解在理论上得出了X射线影像存储材料......
用射频磁控反应溅射方法，在高纯Ｎ２、Ａｒ（纯度均为９９．９９９％）的气氛中，以高纯Ａｌ为靶材，成功地制备了ＡｌＮ薄膜．研究了不同气体组分、不同衬底温度对薄膜结晶性的......
以Keggin结构钴取代杂多硅钨酸盐异构体α,βi-K6-nHn[SiW11Co(H2O)O39·]xH2O(βi=β1,β2,β3)为掺杂剂,采用固相合成法制备了4......
体硅由于是间接禁带半导体，因而其发光性能很差。但是当硅晶体的尺寸降为纳米尺寸时，带来了新的光学特性。自从在硅纳米晶镶嵌二氧化......
本论文采用电化学腐蚀法制备多孔硅，通过浸泡液分离多孔层后，在表面形成丰富的SiOx包裹纳米硅线和纳米孔，测量了它们室温下的光致发光......
光激励发光材料作为一种新型的材料广泛应用在红外探测、成像、光存储、光学信息处理、辐射计量测定等方面.本论文首先对光激励发......
光电子信息材料是本世纪最受关注的材料之一，光电子集成器件在信息时代有极其重要的作用。由于硅的平面集成工艺已相当成熟，所以从工......
Si SiO2 薄膜采用射频磁控溅射技术制备 ,当正向偏压大于 5V时即可观测到来自不同Si层厚度的Au (Si SiO2 ) p Si结构在室温下的可......
采用磁控溅射技术制备了 Si/ Si O2 超晶格薄膜 ,在正向偏压大于 4 V即可观测到了来自Au/ ( Si/ Si O2 超晶格 ) / p - Si结构在室......
利用射频磁控溅射方法，制成纳米SiO2层厚度一定而纳米Si层厚度不同的纳米(SiO2/Si/SiO2)/p-Si结构和纳米(SiO2∶Al/Si/SiO2∶Al)/p-......
本文合成了发射蓝紫色光的镁硅钙石 Ca3Mg Si2 O8:Ce3+荧光体。测试了该荧光体的激发和发射光谱。利用这些光谱结果和 Van Uitert......
对萤石矿物进行掺杂灼烧,制备了一种新型矿物发光材料萤石:Eu3+.根据Eu3+的荧光光谱与局域对称性的关系,结合空间群中等效点系的对......
目的微波合成CaS:Dy3+荧光体,监测其发射光谱,探讨其发光原理.方法微波快速加热法.通过XRD的测定,确定CaS:Dy3+ 的晶相.结果 CaS:D......
为了阐明孤立发光中心自发辐射寿命对环境介质光学常数的依赖关系，从两个典型模型的前提假设出发分析了它们各自的适用条件。并在已......
在用前剂量法作古陶瓷真伪鉴定的过程中,需要对样本加入多次不同量值的剂量再进行激活及熄灭效应的测试,从而加大了测量误差值(通......
用电化学腐蚀方法制备了多孔硅样品,在浸泡液中浸泡使其表层多孔层与样品分离,在样品表面形成了丰富的SiO2包裹纳米硅颗粒结构,研......
用电化学阳极氧化工艺,在草酸/硫酸的混合电解液中制备了3个系列的多孔阳极氧化铝（AAO）薄膜样品,分别考察了阳极氧化电压、氧化时间......
用自旋极化的LSD-LMTO(Local-Spin-Density L-near Muffin-Tin-Orbital Method)方法,对ZnS掺入Mn发光中心的电子结构进行了大型超......
研究了注碳外延硅经氢气退火及电化学腐蚀处理后的荧光特性。经能量为50keV，剂量为2×10^16cm^-2的碳离子注入后的外延单晶硅片......
在氧气、空气或氮气环境中，用脉冲激光辐照加工出的纳米硅有较强的PL发光，将这些PL光谱进行高斯去卷积处理，可以得到不同的子峰，这是因......
以钛酸四丁酯[Ti(O-BU)4]为前驱体,采用溶胶-凝胶法制备了锐钛矿相TiO2纳米薄膜.用X射线衍射(XRD)和光致发光(PL)光谱分别对不同烧......
利用等离子体增强化学气相沉积制备了未掺杂与掺硼富硅氧化硅薄膜。在高纯N2气氛中经过600℃、800℃和1100℃热处理,发现随着热处......
在N型外延硅中注入C^+并经高温退火形成了SiC沉积．不同条件下进行阳极氧化腐蚀后，在260nm光激发下获得了340nm和430nm的紫外和紫光峰......
用射频磁控溅射法制备了锗／氧化硅纳米多层膜，在室温下测量了Au／锗／氧化硅纳米多层膜／p-Si结构的电致发光。利用位形坐标模型分析了锗／氧......
采用碳还原法合成SrS：Eu，Sm，研究了灼烧温度及灼烧时间对样品发光性能的影响。通过X射线衍射（XRD）测试证明合成材料纯度较高，样品具有SrS......
分别以锗-氧化硅和碳-氧化硅复合靶作为溅射靶,采用射频磁控共溅射技术在p型硅衬底上淀积了含纳米锗的氧化硅薄膜Ge/SiO2和含纳米......
本文简述了过渡金属离子的能级结构、晶体场理论基本概念与d轨道晶体场分裂，概述了矿物材料的颗粒特性与光学特性、矿物发光材料的......
纳米结构ZnO及ZnO稀土离子掺杂发光在蓝/蓝绿可见波段和紫外波段存在受激发射,可能成为制备短波长激光、发光半导体重要的候选材料......
采用高温熔融法制备了ZnO-P2O5：Tb^3＋玻璃，并以热释光为手段，研究了基质组成、Tb^3＋掺杂浓度、熔制气氛、Tb^3＋与其他稀土离子共掺等因素......
采用微波等离子体法合成SrAl2O4：Eu2＋,Dy3＋长余辉发光材料,通过对掺杂不同激活剂浓度的产物的光谱性能、余辉性能、相组成结构的分析......
本文首先简单介绍了光激励发光材料BaFCl:Eu的发光机理,采用高温固相扩散的方法制备BaBCl:Eu,并分别从烧结气氛和烧结次数对发光性......
对具有变色效应的两颗变色龙金刚石与一颗鲜黄色合成金刚石进行了扫描电镜-能谱、X射线荧光光谱、显微红外光谱、紫外-可见吸收光......
采用γ射线辐照含纳米硅的氧化硅薄膜，测量了其辐照前后的光致发光谱．用Gauss函数对各发光谱进行了拟合，结果表明各光谱都是三峰结构．......
等离子平板显示（PDP）和无汞荧光灯的发展迫切需要开发新型高效真空紫外（VUV）荧光材料。组合法是一种有效的筛选、发现、优化新材料的新......
硅基光子芯片结合了光电子和微电子的优点,不仅能以光子作为信息载体提高器件的传输速度、减小器件能耗,还能利用现有的硅集成电路......
在过去的几十年,硅基发光材料由于其在硅基光电子集成领域的巨大应用前景而备受关注。目前,硅基发光材料研究主要集中在Si-SiOx、S......
为了进一步探索铝酸盐系列长余辉材料的显色范围，改善其粉体特性，采用铝酸盐阳离子草酸盐共沉淀及湿法混合原材料方法，在传统绿色长余......
闪烁晶体是当今世界晶体材料领域中有重大经济效益的主流晶体之一,产业规模仅次于半导体晶体。稀土元素是闪烁晶体研究必不可少的......
为全面地探究波罗的海、多米尼加共和国、墨西哥、缅甸和中国辽宁抚顺琥珀的荧光特征,本文采集了来自5个产地的常见的黄色调琥珀品......
通过化学气相沉积（CVD）方法在Si（100）衬底上制备出新型的ZnO纳米钉结构。X射线衍射（XRD）结果表明纳米钉是六角纤锌矿结构。纳米钉顶部对......
无激活剂znS天蓝色发光必须在存在氧的情况下反应形成游离锌,然后通过吸附、扩散等物理化学过程形成硫空位和填充锌的晶体缺陷、构......
本论文选用水晶中的紫晶,黄晶和无色水晶（共211粒）作为研究对象,在BY-1型阴极发光仪下测试样品的发光颜色,强度和内部结构特征等。对......
