硅抛光片相关论文
硅抛光片表面质量除了受抛光工艺参数影响外,在很大程度上还受抛光液的影响。通过检测表面Haze值和粗糙度,研究硅抛光片表面形貌,......
由北京有色金属研究总院承担的“ 0.5～ 0.6μ m IC用 8英寸硅rn单晶抛光片研制”及“蒸气压控制直拉法生长半绝缘 GaArns单晶新技术......
在硅片厚度测量工作中,发现硅化学腐蚀片采用机械测厚和电容法测厚所得的数据存在差异,通过一系列对比实验对这一差异产生的原因进......
在硅抛光片的清洗技术中，湿法清洗技术仍然是主流清洗技术。随着抛光片尺寸增大，传统的手工清洗方式和半自动清洗方式已经不适于大尺......
快速退火(RTA)单晶硅片时,硅片内部会形成一种特殊的空位分布.空位的分布将决定后序两步退火(800℃,4h+1000℃,16h)后生成的洁净区......
介绍了硅抛光片在硅材料产业中的定位和市场情况,化学机械抛光(CMP)技术的特点,硅抛光片大尺寸化技术问题和发展趋势,以及硅抛光片......
<正> 半导体器件支撑着庞大的信息产业,而半导体器件93%以上是硅器件,它们以硅片为基础材料。本文将叙述半导体器件和硅片在世界与......
<正> 随着大规模集成电路集成度的不断提高,加工线条越来越细,对硅抛光片的弯曲度要求也越来越高。1985年联邦德国瓦克公司的产品......
日前，洛阳单晶硅集团有限责任公司（洛单集团）成功拉制8英寸电路级单晶硅棒，标志着洛单集团年产36万片8英寸硅抛光片项目试生产成功，将进......
