发光峰相关论文
ZnO具有许多优异的特性，已作为一种压电、压敏和气敏材料较早便得以研究，并被广泛应用于变阻器、转换器、透明导电电极、传感器和催......
采用球磨法制备了Zn1-xCoxO(x=0,0.004,0.008)纳米粉体,分别利用XRD,PL光谱和紫外-可见吸收光谱对样品进行了表征。XRD图谱显示样......
以Al(NO3)3.9H2O、Y(NO3)3.6H2O和Nd(NO3)3.6H2O为原材料,丙烯酰胺和N′N-亚甲基双丙烯酰胺为单体和网络剂,采用高分子网络凝胶法......
报道了用叠加能量Ｓｉ＋、Ｎ＋共注入ＳｉＯ２薄膜研究硅基发光材料。Ｓｉ＋、Ｎ＋先后注入ＳｉＯ２薄膜，并在衬底中重叠。样品退火后在紫外光激发下，可以观察到很强的紫外......
本文报道采用简便的真空反应法在Ｓｉ（１１１）衬底上生长出了六方结构的ＧａＮ单晶薄膜，并对ＧａＮ薄膜的表面形貌、结晶学性质和光学特性作了研究．ＳＥＭ表明外延层......
8羟基喹啉金属螯合物是目前研究较多的有机小分子发光材料,其中,8羟基喹啉铝(Alq3)是这类材料中最重要的一种,具有良好热稳定性和......
ZnO薄膜中的高的背景电子浓度能够对p型掺杂形成补偿,从而对p型掺杂造成障碍,了解高背景电子浓度的来源有助于对p型掺杂的研究。本......
采用高能球磨法及脉冲激光沉积法(PLD)分别制备了不同浓度的Ho3+∶Al2O3纳米粉体及薄膜,利用X射线衍射仪(XRD)、分光光度计、荧光......
合成了一种新型有机小分子发光材料10-羟基-苯并喹啉(Bq),利用电化学循环伏安方法测量了此材料的能带宽度为1.98 eV左右,此材料的......
报道了在１．５５μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ激光器中发现的０．９５μｍ波长高能发光峰的一系列实验结果，并通过分析肯定了ＩｎＧａＡｓＰ有源区的Ａｕｓｅｒ复合是造成载流子向两侧ＩｎＰ限制层漏泄的主要原......
目的 探讨二硫化碳 (CS2 )对邻菲罗啉化学发光体系中羟自由基 (·OH)产生的影响。方法 应用邻菲罗啉化学发光体系观察不同浓度CS......
干燥物质经过辐照处理后,其超微弱发光性质会发生一些变化.经过对多种样品辐照前后的超微弱发光性质的研究,依据加入测量液前后的......
Ⅱ-Ⅵ半导体材料由于其独特的性能和应用已经引起了广泛关注。ZnS作为一种重要的Ⅱ-Ⅵ半导体材料已经应用于许多领域,包括：发光二极......
使用改进的常压化学气相沉积(APCVD)系统制备了非晶硅薄膜,测量了样品的光致发光特性,使用Raman光谱和X射线光电子能谱(XPS)谱测量......
首次报道了以SiH4、N2O和H2混合气体为原料,用PECVD工艺直接合成硅氧纳米复合薄膜(nc-SiOx:H),未经任何后处理过程观察到了可见光......
在不同氧分压下用脉冲激光沉积（PLD）法在n型硅（111）衬底上生长ZnO薄膜。通过对其进行XRD、傅里叶红外吸收（FTIR）和光致发光谱（PL）的测量，研......
宽直接带隙Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料ZnO，由于其光电特性受缺陷影响较小，激子束缚能较高（60meV，GaN为25meV），体材料可得，生长温度较低（可在2......
在室温下测量了GaAs/Al0.28Ga0.72As超晶格的光致发光,发现在波长λ=764nm处存在一较强的发光峰.理论分析表明,此峰是量子阱阱口附......
用电子束蒸发的方法制备了一种新的ITO/SiO2/ZnSe/SiO2/Al薄膜电致(TFEL)发光器件.在交流电压驱动下,其有2个发光峰,分别位于466 n......
提出一种以聚合物MEH-PPV为发光材料,结构为Al/MEH-PPV/CuPC/ITO的倒置型发光器件(IPLED).对既是空穴传输层又是轰击缓冲层的CuPC......
本文探索了以乙醇为氧源通过MOCVD方法生长ZnO薄膜的方法,着重研究了该实验中生长温度对薄膜发光光谱的影响.我们分别在350℃、370......
上转换发光材料能够把两个或两个以上低能量光子转换为一个高能量光子,其在活体成像、生物标记、太阳能电池、显示、传感器等方面......
本论文共分三章:1、第一章综述了不饱和腈的合成、应用及有机小分子发光材料的研究进展。2、第二章研究了α,β-二芳基丙烯腈的合......
ZnO是一种具有纤锌矿晶体结构的直接宽带隙半导体材料，禁带宽度为3.37eV，室温下激子束缚能高达60meV，高于ZnSe和GaN。是一种理想的蓝......
