等离子体腐蚀相关论文
采用SiH_4,N_2O和NH_3反应气体生长了Si_xO_yN_z膜,其特性取决于反应气体流量、射频功率、反应室压力和衬底温度。用折射率为1.71......
<正>湿法化学腐蚀已被广泛地应用于敏感器件传感结构的微细加工中.近年来,在VLSI中等离子体干法腐蚀已成为获得细线条图形的可行技......
用氢等离子体腐蚀了半导体材料(如:GaAs、GaSb、InP、Si等)及其氧化物和氮化硅的表面。采用光谱椭圆仪、俄歇波谱仪和扫描电子显微......
本文阐述了用等离子体,离子束,反应性中子束以及含氟、氯和溴的卤原子类对钨和硅化钨膜的腐蚀。讨论和比较了腐蚀条件对腐蚀速率,......
<正> 利用等离子体来腐蚀集成电路芯片和去胶,代替原来的化学腐蚀和去胶。这是近些年来发展的一种新工艺。俗称干式法。先前的化学......
在微电子器件的制备中,用等离子腐蚀金属、半导体材料和介质是一项被认定了的工艺。最早研究等离子腐蚀工艺是前10年左右的事;而现......
等离子体腐蚀是七十年代初期在半导体工业中发展起来的一项新技术。在集成电路、特别是 N 沟硅栅 MOS 集成电路中,用它来腐蚀多晶......
首先介绍等离子体腐蚀与采用湿法腐蚀相比所具有的优点，并且在简化工艺流程和缩短工艺周期方面作出细致的说明；对氧气流量为0．05L／min～0......
