绝缘衬底上的硅相关论文
在摩尔定律的推动下,当今的集成电路的设计和生产能力已经走向了一个新的高度。SOI技术(绝缘衬底上的硅),作为低功率集成电路器件......
为了研究高介电常数(高κ)栅介质材料异质栅中绝缘衬底上的硅和金属-氧化物-硅场效应晶体管的短沟道效应,为新结构器件建立了全耗......
在分析了双极型晶体管和场效应晶体管各自的特点和不足后,介绍了一种既具有双极型晶体管较大电流容量和功率输出,又具有场效应晶体......
绝缘衬底上的硅材料制备的光学微环谐振腔结构具有高灵敏度、结构尺寸小和极低模式体积等特性,被广泛应用到光信息传递、惯性导航......
本文概述了电力电子与微电子的数字化、模块化和集成化三方面的对比；介绍了相关的系统集成技术的研究现状。......
在绝缘衬底上的硅（SOI）制备的二极管型非制冷红外焦平面是利用单晶硅PN结二极管作为温度探测器, 比其它类型非制冷红外焦平面具有自......
为了解决SOI技术的ESD问题,我们设计了一种适用于部分耗尽SOI的栅控二极管结构的ESD保护电路,并进行了ESD实验。通过实验研究了SOI......
近年来,绝缘衬底上的硅(SOI)被业内公认为是一种非常有潜力的,能够实现大规模、高密度光电子集成电路(PICs)的新材料。然而在高度......
SOI(Silicon on Insulator)微环谐振腔具有结构紧凑,与COMS工艺兼容,适合于大规模单片集成等一系列优势,因此其功能强大,是集成光......
