背栅效应相关论文
设计了一套适用于二种工艺（离子注入隔离工艺和半绝缘衬底自隔离工艺）的背栅效应测试版图，用选择离子注入形成有源层和欧姆接触区，在非......
随着集成电路集成度的提高,器件间距不断减小,在GaAs MESFET中产生了一种被称为背栅效应的有害寄生效应.由于器件间距越来越小,某......
为了解决薄层SOI(silicon-on-insulator)场LDMOS(laterally diffused metal oxide semiconductor)击穿电压偏低,容易发生背栅穿通......
通过对高压SOINMOS器件进行总剂量辐照试验发现,辐照后器件埋氧化层中引入了大量的氧化层陷阱电荷,使得器件背栅发生反型,在较高漏......
SOI(Silicon On Insulator,绝缘体上硅)高压LDMOS(Lateral Double-diffused Metal Oxide Semicondutor,横向双扩散金属氧化物半导......
GaAs晶体是一种电学性能优越的Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体材料，以其为衬底制作的半导体器件及集成电路由于具有信息处理速度快、超高频、......
