背面减薄相关论文
集成电路芯片不断向高密度、高性能和轻薄短小方向发展，为满足IC封装要求，图形硅片的背面减薄成为半导体后半制程中的重要工序。随着......
背面减薄是制备InP基光电子芯片的一道重要工艺.晶圆被减薄后失去结构支撑,会因应力作用产生剧烈形变,翘曲度大幅提高.严重的翘曲......
目前随着集成电路技术的不断发展,工业应用等级的不断提高,其芯片硅片朝着高密度、高性能、轻薄化的方向不断发展,CPU芯片甚至已到......
<正>碳化硅半导体器件的迅速发展,给相关研究以及产业领域提出了很多需要解决的问题,产生了许多不确定性因素,但也带来了新的产业......
通过实验数据和实物照片列出了减薄工艺参数、检测结果;并结合实例研究了现代磨削减薄系统多采用的硅片自旋转磨削技术,探讨脆性材......
硅片背面磨削减薄工艺中,机械磨削使硅片背面产生损伤,导致表面粗糙,且发生翘曲变形。分别采用粗磨、精磨、精磨后抛光和精磨后湿......
电子产品对高性能、多功能和小型化的需求推动了集成电路（IC）封装技术的发展,为减小封装厚度,需要对硅片进行背面减薄加工。目前,采......
在芯片制造工艺中,随着线宽技术降到32 nm以下,相应的工艺技术已经快接近物理极限,难以在单一芯片上集成更高密度的电路和更多的功......
一些DMOS产品的Vfsd上限要求做得很低,这样背金工艺的窗口就非常窄、经常发生Vfsd超上限的事件。如何拓宽背金工艺窗口、满足特殊D......
芯片的超薄化发展，正在逐步整合半导体材料加工设备及其相应工艺。简要概述了芯片超薄化发展之动态，并以超薄芯片的减薄加工为中心，综......
随着半导体工业的发展,对芯片的厚度要求愈来愈薄。在半导体制造中通过对硅片进行背面减薄达到芯片变薄的目的。然而由于硅片的厚......
随着便携式电子产品的飞速发展,硅片趋向大直径化的同时,对芯片厚度要求也越来越薄,需要对半导体硅片进行背面减薄加工。本文在总......
