谐振隧穿二极管相关论文
该文介绍了一种纳米电子器件:谐振隧穿二极管(RTD),它是一种新型GaAs衬底二端口器件,具有高速和双稳态两大特性.该文详细介绍了谐......
研制成的在常温下工作的谐振隧穿二极管 (RTD) ,峰谷比达到了 5∶ 1,最高振荡频率为 2 6 .3GHz.采用基于物理意义的电流 -电压方程......
用PSpice对一种由串连的RTD和HEMT组成的单稳多稳转换逻辑(MML)电路进行了模拟.基于自行研制的RTD的特性曲线提取了合适的器件模型......
谐振隧穿二极管（RTD）具有高频、低功耗、负阻、双稳态、自锁等优点，在超高速数字电路领域具有非常好的应用前景。加之InP材料固有的优......
设计并用分子束外延技术生长了InP基InGaAs/AlAs体系RTD材料,采用传统湿法腐蚀、光学接触式光刻、金属剥离、台面隔离和空气桥互连......
设计了由谐振隧穿二极管(RTD)为驱动器件,以金属-半导体-金属光探测器(MSM-PD)为光敏元件的光电集成电路单元,利用通用电路模拟软......
高电子迁移率晶体管和谐振隧穿二极管是两种常用的高频器件,已经广泛应用于微波射频领域。由于太赫兹科学技术对国防科技、信息安......
