器件建模相关论文
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）及其模型在过去的几十年中一直是学术研究和工业应用的焦点。首要原因是它具有电荷密度大、电子......
Ⅲ-Ⅴ族化合物基异质结双极晶体管凭借其高功率密度以及高电子迁移率等特质被广泛用于射频、微波毫米波电路中。构建精确的器件等......
学位
随着电力电子应用要求的不断提高和应用领域的不断拓展,诸如航空航天、石油勘探和开采、清洁能源和国防安全建设等领域对电力电子......
该文给出了一种利用SPICE、VHDL和VHDL-AMS多种器件建模语言协同实现混合模式电路系统建模的新方法;同时提出了一种开放式的混合模......
因虚拟实验室可有效规避传统实验宣的缺点,突破时空限制,故应用HTML5技术开发实现了中学物理化学虚拟实验.基于HTML5开发完成的虚......
本文主要针对具有复杂特性的非线性电子器件无法建立模型或模型复杂的问题,提出了基于神经网络的分段建模方法,并对BP神经网络结构......
为了能够持续缩小MOSFET的工作电压,增加集成电路设计的灵活性,我们提出了一种铁电-金属-绝缘层-半导体-绝缘层(FMISI)结构的负电......
对0.5μmSOI CMOS工艺进行了开发,得到一套完整良好的工艺流程参数。根据流片测试结果,进行SOI CMOS器件的建模;利用BSI MproPlus......
用PSpice对一种由串连的RTD和HEMT组成的单稳多稳转换逻辑(MML)电路进行了模拟.基于自行研制的RTD的特性曲线提取了合适的器件模型......
针对标准MOSFET的BSIM4模型在高压LDMOS建模及已有LDMOS紧凑模型的不足，提出一种LDMOS宏模型。在本研究中，借助Spectre软件分别对宏......
成果简介： 传统的 ESD 设计通常采用“反复实验法”，这种方法成本高且周期长。香港应用科技研究院PAD组发展了一套ESD仿真设计方法，通......
针对标准MOSFET的BSIM3和PsP模型在高压LDMOS建模上的不足，提出了基于PsP表面电势方程的改进高压LDMOS晶体管I—V模型。在研究过程......
自旋转移矩磁性随机存储器(STT-MRAM:Spin Transfer Torque Magnetic Random Access Memory)是一种基于材料的磁性来存储信息的新......
安捷伦科技公司日前宣布为电子行、№提供器件建模及验证的Accelicon Technologies软件解决方案和技术现已成为安捷伦的一部分。两......
目前碳化硅(SiC)功率开关器件已经开始商业化应用,以SiC肖特基二极管(SBD)和MOSFET为代表的开关器件,主要应用在逆变器、DC/DC等电......
通过在表面势公式中增加一高阶近似项,大大提高了传统表面势的解析近似精度.改进前通用参数的精度一般达到1nV量级,某些情况下只能......
针对型号伺服控制系统硬件架构特点，提出一种基于软、硬件协同的现场可编程门阵列（FieldProgrammableGateArray，FPGA）软件交联仿真验证......
SiC MOSFET(silicon carbide metal-oxide-semiconductor field-effect transistor)以其优越的特性受到国内外学者的广泛关注,采用......
期刊
因虚拟实验室可有效规避传统实验室的缺点,突破时空限制,无论是学生还是教师都可自由进入实验操作仪器,故应用HTML5技术开发实现了......
介绍了一种可以用于频率高达110 GHz的InP基HBT小信号模型模型参数提取方法,并且在所提出的模型中考虑了基极馈线的趋肤效应.该方......
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经过近百年发展,现代微波测量技术已相对成熟,人们可以通过各种先进仪器设备快速测得待测器件的电特性。即便如此,测量过程中仍不......
基于BSIMSOI模型研究了深亚微米级部分耗尽型绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管(PD SOI MOSFET)器件的自加热效应、体接触效......
相比于其他很多半导体材料,GaN材料具有很大的带隙宽度、较大的饱和漂移速度、不错的热稳定性,高击穿电场等特征,这使得它能够被很......
随着无线通信技术的不断发展,射频集成电路在其中扮演越来越重要的角色。CMOS工艺已经成为制作可靠的射频电路最合适的工艺之一,CM......
本文主要对LED驱动电源的传导干扰进行了建模研究，内容包括开关管、无源器件以及LED驱动传导干扰的建模等方面，对LED驱动电源的传导......
提出一种可靠的方法仿真和预测开关电源的传导电磁干扰。采用器件建模与印制电路板（PCB）建模相结合的方式,构建器件和PCB的高频等效......
半导体器件模型是集成电路(IC)设计者与IC的加工厂(FAB)之间重要的纽带,它的精度直接影响到IC的性能。随着IC的集成度和器件的工作......
近年传统CMOS微电子器件的特征尺寸达到~10nm的量级,接近原子的直径级别,导致继续按照Moore定律增加单片集成度的想法遭遇瓶颈,于......
随着半导体技术的不断进步,晶体管特征尺寸已缩短至纳米范畴,当器件沟道长度小于10nm以后,制造沟道PN结的工艺变得更为困难。基于......
随着集成电路线宽递减工艺不断发展产生了两个趋势,新节点工艺成本越来越高以及芯片设计与工艺必须紧密结合,低成本工艺线需要投入......
随着CMOS工艺进入10nm制程,摩尔定律能否维持下去一直备受争议。人们一直在探索新的材料,GaN作为第三代半导体材料,其宽禁带、高击......
近几年，模拟和数字电路设计工程师们一直在不断地开发和改进电路，以适应其日益提高的工作频率。目前我国已步入4G时代，可以预见的是高......
作为功率开关,VDMOS器件以其高开关速度、高耐压、低导通电阻、宽安全工作区以及很好的热稳定性等特点,广泛地应用于开关电源、汽......
器件模型是电路仿真设计的基础。随着集成电路工艺的进步，新材料的不断涌现，器件的特征尺寸不断缩小，器件结构和特性也越来越复杂，如何......
随着半导体技术的进一步发展,晶体管元件集成度的进一步提高,电路设计的复杂度也将大幅增长,对于电路设计自动化技术的要求也将越......
随着集成电路技术的不断发展,特征尺寸不断缩小,出现了一些列器件物理、器件结构和工艺技术等方面的问题。绝缘体上硅技术(SOI)技......
安捷伦科技公司日前宣布中国微电子行业发展的非营利性研发联盟上海集成电路研发中心（上海ICRD），目前正在使用Agilent Model Builder ......
