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该文介绍了一种纳米电子器件:谐振隧穿二极管(RTD),它是一种新型GaAs衬底二端口器件,具有高速和双稳态两大特性.该文详细介绍了谐......
采用自主研发的SiC衬底GaN HEMT外延材料,研制了总栅宽为2mmGaN HEMT,利用负载牵引系统测试器件的阻抗特性,得出该器件源漏阻抗实......
研制成功具有场板结构的AlGaN／GaN HEMT器件，对源场板、栅场板器件的性能进行了分析．场板的引入减小了器件漏电和肖特基漏电，提高了肖......
石墨烯（Graphene）单原子层的厚度,对光的本征吸收很低,这使得仅仅依靠石墨烯本身,很难获得高性能的光电器件。砷化镓（GaAs）是Ⅲ-Ⅴ族半......
设计和制作一种小型超宽带低噪声晶体管放大器 ,采用全微带匹配网络和负反馈技术 ,利用新型晶体管器件 HEMT,经自编的程序 MMatch......
氮化镓(GaN)作为一种新型半导体材料,具有禁带宽度大(3.39eV)、击穿电场强度高(～3.0MV/cm)和电子迁移率高(800～1700cm2/Vs)等特点,在......
