负电容效应相关论文
随着CMOS集成电路工艺已经来到5nm技术节点,传统的Si基MOSFET的特征尺寸和器件结构已经达到了它们的理论物理极限,从而限制了CMOS......
近几十年来随着CMOS器件尺寸日益缩小,芯片制造工艺中的变异源给器件性能的稳定性和可靠性带来巨大挑战。因此,工艺变异影响的定量......
本论文主要研究了影响铁电场效应晶体管与负电容场效应晶体管电学性能的因素,以及ε-Ga2O3对铁电场效应晶体管与负电容场效应晶体......
自从1880年压电性被报道以来,人们对压电材料的开发和力-电耦合效应进行了不断深入的研究。压电性是指晶体在外界应力作用下发生极......
过去的几十年中,互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺主导了主流的半导体集成电路（IC）技术。控制短沟道效应、提高工作速度、降低功耗密度......
为了让摩尔定律能够延续下去,降低功耗是很多研究者关注的问题,铁电负电容效应的发现为其提供了一种解决方案.应变工程作为调控铁......
采用交流阻抗谱技术,研究了以共轭聚合物(poly[2-methoxy,5-(2′-ethylhexoxy)-1,4-phenylenevinylene])(MEH-PPV)为发光层,以带有......
负电容场效应晶体管作为低功耗领域最具潜力的器件之一,自从被提出以来就被学者广泛研究。特别是在掺杂氧化铪基薄膜被证明有铁电......
随着微电子技术进入纳米领域,功耗成为制约技术发展的主要因素,因此,低功耗器件成为半导体器件领域的研究热点。负电容场效应晶体......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
负电容场效应晶体管（NCFET）作为超低功耗集成电路非常具有潜力的候选器件结构之一,引起了学术界和工业界的广泛关注。NCFET与传统金......
晶体管是现代集成电路的基础。随着芯片上器件集成度的提升,作为基本元件的金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）尺寸的缩小也开......
铁电材料具有负电容特性,可应用于新一代超低亚阈值摆幅晶体管中。由于铁电负电容具有准静态特性,在实际测试中,难以直接观测到单......
在过去的十年间,钙钛矿太阳能电池受到了业界的广泛关注,器件性能得到了飞跃式的提升。科研工作者们对钙钛矿薄膜的组分调控、成膜......
近些年来,铁电场效应晶体管得到了人们广泛的关注与研究,它被用作铁电存储器的存储单元,而铁电存储器由于其优良的特性(存储速度快......
