铁电场效应晶体管相关论文
随着人工智能领域的快速发展,海量数据的处理需要相应硬件的对应开发。对人脑物理结构及工作机制的深入研究使得基于非易失性内存......
大数据时代数据存储急剧增长,急需更高性能的存储器。在现有的新型非易失性存储器的横向对比中,铁电存储器（FeRAM）显示出低功耗、高......
铁电场效应晶体管（FeFET）是一种基于铁电材料自发极化特性的新型非易失性存储器,具有低功耗、非破坏性读出和读写速度快等优点。基于......
负电容铁电场效应晶体管是在传统MOS管基础上把传统的栅极氧化物材料换成铁电材料,其亚阈值斜率可以低至60 m V/dec,它是未来降低......
本论文主要研究了影响铁电场效应晶体管与负电容场效应晶体管电学性能的因素,以及ε-Ga2O3对铁电场效应晶体管与负电容场效应晶体......
随着数据密集型应用的日益增多,内存墙问题已成为制约计算效率的瓶颈。该文提出一种新型的浮点数(FP)运算结构,该结构嵌入了基于铁......
铁电场效应晶体管(FFET)存储器能够实现非破坏性读出，是一种比较理想的存储方式，因此从一开始就受到人们极大的关注。但是其漏电流过......
铁电栅场效应晶体管(FeFET)作为非挥发性存储器的基本存储单元，受到人们的广泛关注。其中，纳米沟道FeFET以其高的场效应迁移率、大的......
信息存储是空天技术发展的基石,关系到我国在航天航空领域的发展。铁电存储器(FeRAM)具有读写速度快、可擦写次数多、操作电压低等......
铁电场效应晶体管(Fe FET)以其高的读写速度,低功耗以及非破坏性读出等特点成为了新型存储器的有力竞争者之一。铁电薄膜作为FeFET......
金属/铁电薄膜/绝缘层/硅(MFIS)结构铁电场效应晶体管(FeFET)由于具有非挥发信息存储、高读写速度、高存储密度、强抗辐射能力和非......
该文首先研究了Si基BiTiO(BTO)铁电薄膜的Sol-Gel制备工艺,着重通过实验探索BTO/p-Si异质结制备的工艺参数选取和工艺流程控制;并......
在溶胶-凝胶工艺获得高质量Bi4Ti3O12薄膜的基础上,制备了Ag/Bi4Ti3O12栅n沟道铁电场效应晶体管.研究了Si基Bi4Ti3O12薄膜的生长特......
在理论分析的基础上,结合铁电材料特性及实验数据,提出了Ag/Bi4Ti3O12栅n沟道铁电场效应晶体管转换(ID-VG)特性的双曲模型并进行了......
在磁控溅射法制备Pb（Zr0.52Ti0.18）O3（PZT）铁电薄膜的基础上，结合半导体工艺制备了金属／铁电／金属／绝缘层／Si衬底（MFMIS）结构的铁电场效应晶体......
采用溶胶-凝胶工艺制备了Si基Ag/Bi4Ti3O12栅铁电场效应晶体管.研究了Bi4TiaO12铁电薄膜厚度、栅宽/长比等器件结构参数对性能的影......
采用磁控溅射法制备了（111）向择优的Pb（Zr0.52Tio48）O3（PZT）铁电薄膜，并结合半导体集成技术制备了金属／铁电／金属／多晶硅／绝缘层／Si衬底（MFMIS）结......
设计了具有金属/铁电体/半导体结构的铁电场效应晶体管（FFET）,并对其特性进行了仿真.结果表明,当Vg=0时,Pr和Ps/Pr的值决定了漏极电......
系统阐述了铁电场效应晶体管（FeFET）的工作原理，重点介绍了铁电层和缓冲层的材料设计的基本原理、主要的铁电层材料和缓冲层材料及其......
近些年来，由铁电场效应晶体管构成存储单元的铁电存储器，由于具有结构简单、非破坏性读出、不易挥发、功耗低、可多次反复读写、可高......
使用器件-电路仿真方法搭建了氧化铪基铁电场效应晶体管读写电路,研究了单粒子入射铁电场效应晶体管存储单元和外围灵敏放大器敏感......
铁电性质的发现可以追溯至上世纪二十年代,但随后仅仅被应用在少数领域。直到上世纪八十年代,随着一系列新型铁电材料的发现和发展......
抗辐射加固技术是各类航天器的电子系统在空间辐射环境中稳定工作的关键技术之一,存储器作为航天器电子系统的核心部件,其性能优劣......
氮化镓基MFSFET器件以其非挥发性存储,非破坏性读出,结构简单以及适合在高温大功率环境下应用等优越性赢得了研究人员的广泛关注。......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
得到了一个铁电场效应晶体管（MFIS结构）的新的模型，并对该模型进行了电特性分析。从理论上得到了铁电极化和电场强度关系的新的表达式......
采用ＳＯＬ－ＧＥＬ方法分别在Ｓｉ和含有ＳｉＯ２的衬底上制备出ＰＺＴ铁电薄膜，并获得了ＭＦＳ和ＭＦＯＳ结构．利用ＭＯＳ结构常用的Ｃ－Ｖ特性分析方法，对ＭＦＳ和ＭＦＯＳ结构进行了高频Ｃ－Ｖ特性测试分析，研究了Ｆ／（Ｏ）Ｓ的......
铁电场效应晶体管(FeFET)凭借其具有更快的读写速度、更低的功耗以及较强的抗辐照性能等优势已被公认为是最具发展潜力的新型存储......
介绍了铁电场效应晶体管 (FFET)的基本结构、存储机制、制作方法 ,综述其结构设计的改进、铁电薄膜在 FFET中应用的进展情况 ,探讨......
铁电存储器是将铁电薄膜与传统的硅基半导体集成的新一代可擦写随机存储器，具有非易失、低功耗、高速读写、长寿命和抗辐照等优点，被......
论述了铁电场效应晶体管（ＦＦＥＴ）的基本工作原理，给出了其设计方案．采用ＳＯＬ－ＧＥＬ法制备了基本的ＭＦＳ－ＦＥＴ和ＭＦＯＳ－ＦＥＴ，对其电性能进行了测试分析．测试结果表明：ＭＦＯＳ结构的ＦＦＥＴ具有极......
近些年来,铁电场效应晶体管得到了人们广泛的关注与研究,它被用作铁电存储器的存储单元,而铁电存储器由于其优良的特性(存储速度快......
一直以来,MOS晶体管决定着电子集成电路领域的发展。随着空间探测技术的持续发展,对电子产品在辐照环境下的性能要求也越来越高,然......
一直以来,MOSFET决定着电子集成电路领域的发展。随着空间探测技术的持续发展,对电子产品在辐照环境下的性能要求也越来越高,然而M......
在过去四十年中，硅技术在性能和产率上以指数速度迅速发展。然而，CMOS技术似乎越来越接近器件尺寸的极限，在未来，我们将寻找新的器件和......
铁电存储器具有低功耗、高存取速度、高读写次数、高存储密度、抗辐射和非挥发性等优点,在计算机、航空航天和国防等领域具有很好......
针对铁电器件制备过程中，由铁电材料对工艺的敏感性导致铁电器件难以进行系统研究的困难，提出了应用SILVACO软件以铁电材料的实际测......
