载流子限域性相关论文
工作在毫米波、亚毫米波频段的固态功率放大器可广泛应用于无线通信、汽车雷达等电子系统。氮化物材料具备禁带宽度大、电子速度高......
GaN及其相关氮化物作为高压、高频器件的关键材料，归因于它们具有宽禁带、高电子饱和速度和高击穿场强。与Si相比，GaN的禁带宽度是其......
AlGaN/GaN HEMT由于具有击穿电压高、电子漂移速度快和载流子浓度大等特点,已被越来越多地应用于高频及大功率领域。其微波大功率......
由于出色的高频大功率处理能力,AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件成为下一代RF和微波功率放大器的理想继任者。近些年来,随......
由于在微波、大功率、高温、高压等方面具有得天独厚的优势，GaN基（包括InN、GaN、AlN及其合金）半导体技术近10年来得到了飞速的发展，特......
