双异质结构相关论文
GaN基高电子迁移率晶体管（HEMTs）凭借高击穿电压、高电流密度、高热稳定性等优点被学术界和工业界广泛关注，在宽禁带半导体领域始终发......
本文提出了对中红外双异质结构光伏探测器的探测率优化研究.本文把关于暗电流的简单近似分析表达式同全数字计算作了比较,并阐述了......
期刊
提高太阳电池的转换效率是人类利用和发展太阳能技术的主要追求目标，目前有望大幅度提高转换效率的一个最直接手段就是采用多结叠层......
Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体材料及2DEG具有优越的电学性能,使得GaN基高电子迁移率晶体管在抗击穿、耐高温及微波功率器件应用方面极具潜......
由于GaN基材料的宽禁带、高饱和电子漂移速度和高击穿场强等优良特性,AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管得到了广泛关注和迅猛的发展。......
近些年来，为了解决常规的单异质结构载流子限域性差、漏压较高时关断特性差、漏电严重的问题，发展了带有背势垒的氮化物HEMT。本文重......
由于在微波、大功率、高温、高压等方面具有得天独厚的优势，GaN基（包括InN、GaN、AlN及其合金）半导体技术近10年来得到了飞速的发展，特......
由于其宽带隙、高电子漂移速度、高临界击穿电场强度、强自发极化及压电极化等突出优点，GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)在制作高频......
