锗硅材料相关论文
为实现单模光纤与锗硅材料器件的垂直耦合并提高耦合效率，本文提出了一种锗硅光栅耦合器。通过在硅衬底上增加金属反射层来提高光栅......
提出了锗硅材料禁带宽度随锗含量、温度及掺杂浓度变化的经验公式,改善了以往经验公式局限性较大的缺点,拓宽了公式的使用范围.分......
本文描述了应用于SiGe外延的分子束外延(MBE)、超高真空化学气相沉积(UHV/CVD)、常压化学气相沉积(APCVD)、快速热化学气相沉积(RT......
利用分子束外延(MBE) 技术生长了Ge组份为0.1～0.46的Si1-xGex外延层.X射线衍射测试表明,SiGe/Si异质结材料具有良好的结晶质量和陡......
提出了锗硅材料带宽度随锗含量，温度及掺杂浓度变化的经验公式，改善了以往经验公式局限性较大的缺点，拓宽了公式的使用范围，分析并计算......
