常压化学气相沉积相关论文
石墨烯以其优异的光学、电学以及热学性能在众多领域有着潜在的应用,但是目前常用的化学气相沉积法制备的石墨烯薄膜中存在着大量......
介绍了浮法玻璃在线镀膜技术的种类、发展历史与现状.经历电浮法、热喷涂等镀膜技术之后,常压化学气相沉积已成为当今最主要的在线......
该实验采用改进的常压化学气相沉积(APCVD)方法,以SiH-NH-N系统为主,在低于平板玻璃软化点的温度下在玻璃基板上制备氮氧化硅薄膜,......
太阳能转换材料、环境净化材料是当前材料研究的热点，而既是太阳能转换材料、又是环境净化材料的纳米二氧化钛，更是当前材料研究的热......
量子点敏化太阳能电池(QDSSC)是一种由染料敏化太阳能电池(DSSC)衍生出来的新型太阳能电池。由于量子点光敏化剂的量子限域效应与......
利用常压化学气相沉积技术,在浮法玻璃线上制备了TiO2自洁薄膜玻璃.研究了水和氧气对薄膜沉积速率的影响,结果表明水和氧气的加入......
采用ZrCl4-CH4-H2-Ar体系在C/C材料基体上进行常压化学气相沉积（APCVD）制备碳化锆（ZrC）涂层。通过X射线衍射技术（XRD）和扫描电镜（SEM）对不......
本文描述了应用于SiGe外延的分子束外延(MBE)、超高真空化学气相沉积(UHV/CVD)、常压化学气相沉积(APCVD)、快速热化学气相沉积(RT......
提供了一种工艺简单,原料易得,过程消耗低的制备三维网络状SnO2/C纳米链的新方法。首先利用丁烷燃烧得到三维网络状结构的碳纳米材......
采用常压化学气相沉积（APCVD）法制备二维六方氮化硼的基本方法,系统探究衬底抛光处理、衬底与前驱体间距、前驱体加热温度、生长温度......
本文利用一种简单的常压化学气相沉积法在氧化石墨烯基底上制备SnO2材料。通过改变沉积参数（氯化亚锡溶液浓度和沉积时间）得到了多种......
本文通过高分辨电镜(HREM)、原子力显微镜(AFM)分析,反射率、透射率测试以及薄膜厚度的测试,研究了常压化学气相沉积法硅镀膜玻璃......
为了抑制乙烯裂解炉管内表面结焦，采用常压化学气相沉积方法在HP40试样上制备了SiO2／S涂层。用SEM和Raman光谱研究了沉积温度、源物......
为了减缓乙烯裂解炉管内表面的结焦，采用常压化学气相沉积方法，以二甲基二硫（DMDS）和正硅酸乙酯（TEOS）为先驱体。在预氧化的HP40合金试样......
以Ti（OC3H7）4为先驱体,SnO2：F镀膜玻璃为基板,采用常压化学气相沉积法制备了TiO2/SnO2：F复合薄膜。用扫描电镜、X射线衍射、紫外-可见......
以TiCl4和NH3为原料，用常压化学气相沉积法在玻璃基板表面沉积得到了TiN薄膜。采用X射线衍射、场发射扫描电子显微镜、电阻仪、紫外......
化学气相沉积是目前最重要的一种制备高质量、大面积石墨烯的方法．而铜是化学气相沉积法制备石墨烯中最常用的生长基底．虽然有大量文......
用常压化学气相沉积（APCVD）法，以四氯化钛（TiCl4）、氧气（O2）和氨气（NH3）作为气相反应先驱体，成功制备了掺氮二氧化钛（TiO2）薄膜。XRD、XPS和UV......
本论文采用原位热氧化法、常压化学气相沉积法和水热法，制备了二氧化锗纳米线和纳米锥。研究了它们的形貌、晶体结构、发光和Raman......
金属材料作为常用材料之一,在基础设施、交通运输等方面起着至关重要的作用。然而金属腐蚀现象却非常普遍,腐蚀行为会严重影响金属......
BPSG(硼磷硅玻璃)薄膜作为一种重要的层间介质,在半导体集成电路中广泛使用.常压化学气相沉积的BPSG薄膜中B、P含量(质量分数)对BP......
ZnO是宽禁带直接带隙、六方纤锌矿结构半导体材料,室温下禁带宽度为3.37eV,激子结合能达60meV,具有优良的光电性能、压电性能、磁......
通过常压CVD方法由SiH4和TiCl4直接在玻璃基板上成功制备了TiSi2薄膜，用XRD、FESEM、四探针测阻仪和分光光度计研究了薄膜的结构、......
简单介绍常压化学气相沉积法(APCVD)制备氧化硅薄膜的基本原理和工艺。通过调整不同的沉积温度、硅烷流量、稀释氮气流量、分离氮......
以铜箔为基底通过常压化学气相沉积法制备了高质量、连续的少层石墨烯。采用极化曲线和电化学阻抗谱对纯铜箔及石墨烯/铜样品在0.1......
本文利用常压ＣＶＤ设备在较低温度（＜７００℃）下制备得到了Ｓｉ－Ｎ－Ｏ薄膜，探讨了反应温度、反应时间、ＮＨ３中杂质水汽对薄膜生成的影响。制得的薄膜具有较大的体......
200 mm重掺硅片是功率半导体用主流衬底材料。APCVD(常压化学气相沉积)沉积薄膜是200 mm重掺硅片制作的核心工序之一,颗粒作为一种......
以四异丙醇钛(TTIP)为先驱体,采用常压化学气相沉积(APCVD)法模拟镀膜工艺过程,制备出了TiO2自清洁镀膜玻璃。通过扫描电镜(SEM)、......
以四异丙醇钛[Ti(OC3H7)4,TTIP]和三氟乙醇(CF3CH2OH,TFE)为前驱体,采用常压化学气相沉积制备了氟(F)掺杂TiO2自清洁薄膜。通过扫......
本服务利用常压化学气相沉积法在浮法玻璃表面制备了二氧化钛薄膜，研究了水蒸气、氧气含量和衬底温度以及反应器与衬底的距离对薄膜......
采用常压化学气相沉积(APCVD)法,以四氯化钛(TiC l4)、氧气(O2)氨气(NH3)作为先驱体,成功制备了掺氮二氧化钛(TiO2)薄膜。通过对其......
多晶硅薄膜作为一类新型半导体材料,具有较高的光吸收率及光电导等优异性能,同时还兼有单晶硅材料高迁移率及非晶硅材料可大面积、......
随着能源和环境问题的日益严重,建筑节能已经成为人们关注的焦点。建筑节能镀膜玻璃的研究是解决建筑节能问题的重要一环,兼具易洁......
硅化钛兼具低电阻率、耐高温及稳定性好等优点，广泛应用在集成电路和高温材料等领域。本文以TiCl4-SiH4-N2为反应体系，在玻璃基板上......
