镓掺杂相关论文
全固态电池是一种新型的二次电池,能有效解决传统电池存在电解液泄露而产生的安全问题,同时具有更高的能量密度,更宽的工作电压和......
近年来，太阳电池工业的迅猛发展致使制备单晶硅的原材料供应十分紧张，加之大部分的硅单晶生产厂家是新参与者，不太了解硅的质量与太阳......
氧化铟纳米材料由于其专有的性能,在光子器件、电极、高功率晶体管、气体传感器等方面具有宽阔的应用前景。将氧化铟作为基体材料......
太阳能光伏发电作为绿色可再生能源,具有良好的发展前景,在我国的能源结构中所占的比例也越来越大。近年来,晶体硅太阳能电池在太......
采用液相催化相转化法,以Fe(III)与Ga(III)的共沉淀为前驱物合成了α-Fe(Ga)OOH微粒.探讨了镓离子的掺杂浓度和Fe(II)离子用量等因......
期刊
Ga掺杂ZnO闪烁材料由于其在室温条件下近紫外激子发射峰荧光衰减时间短和高的光输出性能，非常适合在X射线、γ射线及α粒子探测方面......
随着科技的进步，平板显示技术在人们工作生活中变的越来越重要了，作为显示领域的核心部件，薄膜晶体管(TFT)成为了研究人员的关注焦点......
以钙钛矿结构氧化物为代表的巨磁阻材料，由于它们表现出来的庞大磁电阻效应在提高磁存贮密度及磁敏感探测元件上具有十分广阔的应用......
采用直流脉冲磁控溅射方法,在室温下生长氢化Ga掺杂ZnO薄膜(GZO/H),并通过湿法后腐蚀技术获得绒面结构。研究了室温下H2流量对薄膜......
采用陶瓷工艺成功制备了0.7Bi(GaxFe1-x)O3-0.3BaTiO3二元系固溶体,其中x = 0,0.025,0.05,0.1,除x = 0.1外,所有陶瓷样品具有单一......
详细研究了Ｇａ取代Ｒ３（Ｆｅ，Ｍｏ）２９（Ｒ＝Ｓｍ，Ｙ）（Ｇａ〈０．１５）中的部分Ｆｅ对其结构和内禀磁性的影响，包括不同的Ｇａ取代对Ｒ３（Ｆｅ，Ｍｏ）２９化合物的晶胞常数，居里温度，饱和磁化强度，磁晶各异性的影响，结果......
本文详细研究了Ｇａ取代Ｓｍ（Ｆｅ，Ｍｏ）１２化合物中的部分Ｆｅ对其结构和内禀磁性的影响。......
采用直流脉冲磁控溅射方法，在室温下生长氢化Ga掺杂ZnO薄膜（GZO／H），并通过湿法后腐蚀技术获得绒面结构。研究了室温下H2流量对薄膜结构......
采用催化热解方法制备出镓掺杂碳纳米管，并利用丝网印刷工艺将其制备成纳米管薄膜，扫描电子显微镜观察表明，纳米管直径在20～50nm之间．对......
采用射频磁控溅射法在玻璃基底上沉积生长Ga掺杂Zn O薄膜（GZO）。研究了第二阶段不同溅射气压对薄膜晶体结构,光电性能的影响,且分别......
