雪崩电压相关论文
EMC测试中大电流注入法（BCI）注入导致CAN总线共模电压跌落。本文对该现象进行研究，在长江公司BCI实验室中还原电压跌落现象，并通过实验......
具有自动保护功能的大功率MOSFET ST微电子公司的新一代OMNIFETⅡ系列MOSFET具备完善的自动保护功能。该系列用PVIPower M0-3技术......
通过具体的地面模拟实验对应用在空间目标探测中的单光子探测器(SPAD)进行了定标。在空间目标探测中,考虑到与红外被动探测复用,所......
14.6 温度特性和调节电压可分别调整的调节器图460所示的调节器电路与前面讲过的调节器基本电路没有多大区别,忽略晶体管T_(1)的......
硅雪崩光电二极管(Si-APD)的雪崩电压对温度极大地限制了基于Si-APD的单光子探测器在全天候野外条件下的实际应用。提出了一种可以......
本文介绍α-碘酸锂晶体高阻尼宽频带超声系列探头的研制过程、性能及应用.文内附有各探头的原始波形照片,还提出了α-碘酸锂探头有......
本文讨论了功率MOSFET晶体管弧焊逆变器的工作可靠性及其影响因素，并指出了弧焊逆变器设计中应注意的问题。
This article discuss......
雪崩式光电二极管微型组件,在光纤通信网中,常常作为变换器使用,其工作波段为1.0至1.3微米。这种光电二极管组件采用Ⅲ-Ⅴ族化合物......
本文研究了Gunn器件中的畴雪崩阈值与温度的依从关系,证实了畴雪崩阈值也是随温度的增加而增加的。我们利用这一关系测量了普通Gun......
用于NMOS和CMOS微电路的N沟MOS晶体管在其漏-源击穿特性上有一个负阻区。启动这种工作方式,源-漏电压就会下降,同时产生较大的漏极......
本文对P~+NN~+结体内的参数选择和表面耐压特性进行了研究.文中指出:在反向耐压为7～10KV的元件中,W_n/L_p选为5～6.5比较适宜;一旦X_n......
本文通过实验测量了GaAs体效应器件的畴雪崩击穿电压及相应的光发射,并进行了器件的烧毁实验,比较了阴极深几何凹槽和一般的Gunn器......
目前市场上的一些2716芯片(如马来西亚、南朝鲜等东南亚产品)在固化时会发生“功率击穿”现象,即在写入固化过程中出现“可控硅效......
介绍了保密通信的发展及应用前景。概述了用于保密通信的光量子保密通信光端机的结构及其工作原理。
The development and applic......
为了提高太阳能级硅材料放电切割的效率，基于理论建模的方法，将硅材料放电切割过程抽象为简单的二极管一电阻电路模型，在恒压源的作用......
光电检测是光通信、光存储、光探测的核心技术。随着通信技术的发展,人们逐渐追求能够探测到光子级别的微弱光的探测器,单光子检测......
在功率MOSFET的数据表中，通常包括单脉冲雪崩能量EAS，雪崩电流IAR，重复脉冲雪崩能量EAR等参数，而许多电子工程师在设计电源系统的过程......
为保证功率半导体器件的可靠性,测试必须考虑到器件特殊性能及其工作状态。 现在,功率半导体器件的性能、大小和价格千差万别——......
<正>随着车用交流发电机输出功率的不断增加,许多厂家采用2个二极管并联方法来解决。本文就雪崩二极管在并联使用中应注意的几个问......
为了获得高功率、高重复频率的纳秒级光脉冲,介绍了一种基于M arx bank脉冲发生原理的纳秒脉冲激光驱动器的设计,以及设计过程中雪......
论文论述了高功率短脉冲半导体激光器驱动电源的研制。论文首先介绍了半导体激光器的发展和特点,介绍了半导体激光器驱动电源研究......
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