雾化施液相关论文
采用雾化施液化学机械抛光(CMP)的方法, 以材料去除速率和表面粗糙度为评价指标, 选取最适合硒化锌抛光的磨料, 通过单因素实验对......
介绍通过雾化供液方式进行化学机械抛光（CMP）的工作原理以及试验装置设计，通过雾化供液抛光工艺试验考察该方法的抛光效果，分析其材料......
雾化施液CMP抛光后的硅片依然存在亚表层损伤,会严重影响硅片的使用性能。首先利用化学腐蚀法和光学显微镜分别观测了亚表层的微裂......
研究了单独的化学作用和机械作用对材料去除率的影响,通过设计单因素试验来研究抛光压力、抛光盘转速、雾液流量、氧化剂浓度对材......
采用浸泡腐蚀法研究了雾化抛光液与钇稳定氧化锆陶瓷(Y-TZP)之间的化学反应对其表面硬度的影响,通过雾化施液CMP抛光工艺分别在纯......
针对超声波雾化施液化学机械抛光过程中磨料的机械作用和化学特性从化学动力学及分子动力学两方面研究了抛光液磨料粒度对材料去除......
采用精细雾化施液CMP这一抛光工艺对氧化锆陶瓷进行抛光，实验研究了抛光液中具有代表性的酸碱调节剂对抛光氧化锆陶瓷材料去除率、......
随着集成电路产业的飞速发展,半导体的产业地位越来越高,由于单晶硅是半导体的主要材料,因此对单晶硅表面质量的要求也越来越高。......
通过改进抛光雾液供液系统,结合超声波雾化技术对原雾化施液CMP实验系统进行优化,并进行了工艺实验。通过单因素试验研究雾化参数......
期刊
探究了雾化施液同质硬脆晶体互抛CMP工艺抛光单晶硅片的可行性,分析其材料去除机理。试验采用传统的化学机械抛光CMP和雾化施液同......
随着当今时代半导体工业的不断发展,硅单晶材料已经成为了半导体器件和集成电路中极为重要的基础功能材料,同时对硅片的表面质量要......
近年来随着计算机技术、网络和通讯技术的快速发展，对集成电路(IC)的要求越来越高。目前，化学机械抛光(CMP)技术已成为制造主流芯片......
学位
