面垒型探测器相关论文
为了制造性能优良的面垒型辐射探测器,需要具有高电阻率、杂质分布均匀的优质 N 型硅单晶。中子嬗变掺杂(neutron transmutation ......
半导体探测器由于具有较高的能量分辨率、良好的脉冲线性响应、脉冲上升时间短以及在中子,γ,β场中对带电粒子测量影响小等方面......
本文介绍了用Si(Au)面垒型探测器α谱仪,α-γ符合谱仪,高纯锗γ谱仪,Si(Li)谱仪,栅网电离室α谱仪等探测装置,对在反应堆中辐照钚......
金硅面垒半导体探测器Si(Au)及漂移型半导体探测器Si(Li)用于测量电子谱已有十几年的历史。F.M.Bernthal等曾利用半导体谱仪成功......
利用2.5MeV质子静电加速器调制成微秒宽度的单次脉冲束流,照射国产离子注入PIN及Au-Si面垒型探测器表面后,观察从示波器屏幕上同时......
由于工作需要,从对探测器耗尽深度和工作电场的要求出发,我们使用了结构如图1的金硅面垒型半导体探测器。对这种探测器进行检验时......
在一个水铀另功率堆中用载铀的微型金硅面垒型半导体探测器测量了绝对热中子通量。对有关的修正因子作了实验测量。测得堆中心热通......
本文描述了一个由金硅面垒型探测器和锥形面聚乙烯薄膜辐射体所组成的快中子谱议。此谱仪具有结构简单、能量分辨率高、探测效率适......
文中介绍了用新工艺制成的新结构金硅面垒型探测器的主要性能。灵敏面积为300mm~2的这种探测器,在室温下,当偏置电压为300V时,反向......
一、引言金-硅面垒型探测器具有下列的特点:能量分辨率高;脉冲上升时间短;耗尽层宽度可调节,因而能甄别不同的射线;脉冲高度与能......
一、引言近年来,我国在半导体硅(锗)探测器的制作和应用方面越来越普遍。这种器件之所以获得迅速进展,主要是用起来很方便。并且,......
本文详细地描述了锂漂移金硅面垒型探测器的制造工艺。这种探测器同时兼备了锂漂移型和面垒型探测器的优点。文中给出了探测器的主......
本文描述了真空光电探测器原理、结构和应用于T_e～100eV的Tokamak装置上测量软X射线起伏的情况。结果表明:在T_(e0)～110eV左右即可测......
离子注入探测器在能量分辨率测量上虽然还赶不上面垒型探测器,但在位置灵敏探测上确大有作为,有人还用它做了P-I—N电流型探测器......
半导体探测器是六十年代发展起来的一种新型探测器.随着硅、锗单晶性能的提高,硅(锂)[Si(Li )]、锗(锂)[Ge(Li)]及高纯锗[HPGe]探......
叙述了所设计和制作的用于重离子反应产物鉴别的位置灵敏△E-E望远镜计数器系统。“△E”是具有薄入射窗的气流式屏栅电离室,“E”......
对充气飞行时间探测系统在以下几个方面进行了改进:1)减少入射窗Mylar膜的厚度,从原来的0.9μm减少到0.5μm;2)增加停止时间探测器......
