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随着半导体产业的发展,对半导体材料的要求也在提高,作为第三代半导体的GaN材料展现出了很多独特的优势,而基于GaN材料制备的AlGaN......
提出了一种基于保角映射方法的14nm鳍式场效应晶体管(FinFET)器件栅围寄生电容建模的方法。对FinFET器件按三维几何结构划分寄生电......
金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)器件建模是半导体技术研究的重要课题,它在半导体器件设计和参数优化中发挥着重要作用。......
单壁碳纳米管具有优异的电学、力学和光学特性,依据其不同的手性可以呈现出金属性或者半导体性,为碳纳米管在电子器件中的应用提供......
随着半导体工艺技术节点的缩小,金属互连线密度不断增加,集成电路寄生电容和电阻所造成的电路延时占电路总延时的比重越来越大。由......
FET的全名是场效应晶体管(Field Effect Transistor,FET),先从大家较耳熟能详的MOS来说明。MOS的全名是金属-氧化物-半导体场效晶......
中国集成电路技术和产业经过了最新一轮十年的攻关,已经形成了较为系统的布局。分析了国内外集成电路制造技术和产业发展趋势以及......
