搜索筛选:
搜索耗时1.0315秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 56 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者：李观启,曾旭,
来源：半导体学报 年份：1996
用低能量氩离子束轰击芯片背面，能改善以热氮化和快速热氮化ＳｉＯｘＮｙ为栅介质的ｎ沟的ＭＯＳＦＥＴ的特性，结果表明，在能量为５５０ｅＶ和束流密度为０．５ｍＡ／ｃｍ＾２时，随着轰击时间的增加，跨导、沟道和有效迁移率增大，然后这些变化......
[期刊论文] 作者：吴英才,李观启,
来源：华南理工大学学报：自然科学版 年份：1994
用氩离子束镀膜法制备ＢａＴｉＯ３／Ｓｉ系统，并在４００－９００℃的温度下用氮气保护进行退火，然后制成Ａｌ／ＢａＴｉＯ３／Ｓｉ的ＭＩＳ结构。用俄歇电子能谱分析ＢａＴｉＯ３膜的化学组分．研究电容－相对湿度和电流－相对湿度特性，以及固定电荷密度对湿敏特......
[期刊论文] 作者：李观启,钟平,
来源：华南理工大学学报：自然科学版 年份：1995
在室温下用低能量Ａｒ＾＋轰击ＭＯＳ电容器肾面，能改善ｉＯ２－Ｓｉ系统的界面特性和击穿特性。结果表明，随着轰击时间的增加，固定电荷密度、界面态密度和漏电流减少，高场击穿的比率增大，然后这些参数变化平......
[期刊论文] 作者：刘玉荣, 李观启,,
来源：压电与声光 年份：2006
利用氩离子束溅射技术在SiO2/Si衬底上淀积Ba0.8Sr0.2TiO3(BST)薄膜,该薄膜在氧气气氛中500℃退火处理30 min,然后利用集成电路平面工艺将薄膜制作成叉指结构电容器。X-射线...
[期刊论文] 作者：李观启,曾绍鸿,
来源：半导体学报 年份：1996
在完成硅平面晶体管管芯和上部电极制备后，用低能量氩离子束进行背面轰击，能显著增大高频和超高频小功率晶体管的电流放大系数，提高特征频率，功率增益和输入阻抗，减小噪声系数和使......
[期刊论文] 作者：李观启,赵寿南,
来源：华南理工大学学报：自然科学版 年份：1995
利用红外激光光弹测量系统和森纳蒙特补偿法，测量了硅中的氧化应力；研究了中间退火和后退火条件对硅中氧化应力的影响，以及氧化应力与ＳｉＯ２膜的电击性和固定电荷密度的关系。......
[期刊论文] 作者：李观启,黄美浅,
来源：华南理工大学学报：自然科学版 年份：1990
本文研究中间退火处理对薄SiO2膜电击穿特性和高频电容-电压特性的影响。结果表明,在温度θ=950～1100℃和时间t=0～90分钟范围内,薄SiO2膜的缺陷密度和固定电荷密度随中间退火温...
[期刊论文] 作者：李观启,黄美浅,
来源：半导体学报 年份：1990
实验结果表明,利用O2/N2的低分压再氧化和中间氧化,以及利用O2/NH3的掺氧再氮化均能有效地改善氮氧化膜的界面特性,而其优异的电击穿特性则得以保持或稍有改善。在三种氧处理...
[期刊论文] 作者：李观启,曾勇彪,
来源：半导体学报 年份：1998
用低能量氩离子束轰击肖特基势垒二极管芯片背面，能有效减小反向电流和理想因子，增高势垒高度和减小势垒电容，对于较大的轰击能量和束流密度，特性改善的效果较显著，但过长的轰击时......
[期刊论文] 作者：黄美浅,李观启,
来源：华南理工大学学报：自然科学版 年份：1991
本文提出的用 O2/N2进行中间氧化（退火）的两步热氮化工艺,能将 SiOxNy-Si 系统的界面态密度和固定电荷密度减少到可与干氧氧化膜相比拟的程度,且保持了 SiOxNy膜优异的介电特性...
[期刊论文] 作者：王建明,李观启,
来源：华南理工大学学报：自然科学版 年份：1990
利用离子束镀膜技术,在非超高真空(1.33×10-3Pa)下,采用离子束清洗衬底表面和对衬底加热的辅助方法,在单晶Si衬底上淀积Co薄层,再在Co层上淀积Si保护层,然后在570—680...
[期刊论文] 作者：黄美浅,李观启,
来源：华南理工大学学报：自然科学版 年份：1995
研究不同类型，不同沟道长的ｎ沟金属－氧化物－半导体场效应晶体管在不同栅电压下工作时栅氧化层的击穿特性。结果表明，ＭＯＳＦＥＴ栅氧化层的加速击穿起因于沟道大电流，而栅氧化层进行快速热氮化......
[期刊论文] 作者：李观启,严东军,
来源：华南理工大学学报：自然科学版 年份：1995
本文采用氩离子刻蚀法，将ＳｉＯｘＮｙ膜减薄成不同厚度的样片，并制成Ａｌ－ＳｉＯｘＮｙ－Ｓｉ系统的ＭＩＳ电容器。利用平带电压随膜厚度变化的关系和最小二乘法，测定有效功函数差和Ｓｉ－ＳｉＯｘＮｙ系统的固定电荷密度。结果表明，该系统的......
[期刊论文] 作者：王建明,李观启,
来源：半导体技术 年份：1991
本文介绍了利用俄歇电子能谱、X射线光电子谱和紫外光电子谱,对Si/Co/Si系统的固相反应形成物的组分、化学相和电子结构进行研究的结果。...
[期刊论文] 作者：李观启,黄美浅,
来源：半导体技术 年份：1990
本文提出了一种低分压的湿-干氧氧化方法。利用该方法生长的薄氧化膜,具有比干氧氧化低的缺陷密度和优越的电击穿特性,而且固定电荷密度基本不变或稍有降低。实验结果表明,在...
[期刊论文] 作者：黄美浅,李观启,等,
来源：半导体学报 年份：2003
研究了低能量背面Ar^+轰击对n沟MOSFET低频噪声的影响。用低能量（550eV）的氩离子束轰击n沟MOSFET芯片的背面，能改善其饱和区和线性区的低频噪声频谱密度。饱和区低频噪声的减小...
[期刊论文] 作者：刘玉荣,李观启,等,
来源：华南理工大学学报：自然科学版 年份：2001
利用氩离子束镀膜技术在SiO2/Si衬底上淀积钛酸锶（SrTiO3）膜，并制成平面型电阻器。结果表明：在实验温区（28～150℃）内，SrTiO3薄膜具有负温度系数电阻特性，且热敏牧场生比较明显，在室温30......
[期刊论文] 作者：陈平,黄美浅,李斌,李观启,
来源：电子元件与材料 年份：2004
采用氩离子束镀膜技术和硅平面工艺,在SiO2/Si衬底上淀积钛酸锶钡 (Ba1-xSrxTiO3)薄膜,研究在氧气氛中不同温度和时间的退火对薄膜的介电常数的影响。实验结果表明,在退火温...
[期刊论文] 作者：陈平,黄美浅,李斌,李观启,
来源：华南理工大学学报：自然科学版 年份：2004
采用氩离子束镀膜技术和硅平面工艺，在经过干氧氧化的硅衬底上制备一层钛酸锶钡(Ba1-xSrTiO3)薄膜，再在氧气氛中进行不同条件的退火处理，然后蒸铝并利用光刻技术制作铝电极，从而......
[期刊论文] 作者：宋清,黄美浅,李观启,
来源：应用光学 年份：2005
利用硅平面工艺和氩离子束镀膜技术在SiO2/Si衬底上淀积一层厚45 nm的钛铌酸锶钡(Ba1-x SrxNbyTi1-yO3)薄膜,制成Al/Ba1xSrxNbyTi1-yO3/SiO2/Si结构平面型薄膜电阻器.测试了...
相关搜索：
