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[期刊论文] 作者：谢茂浓,
来源：四川大学学报(自然科学版) 年份：1998
利用２ＭＶ电子静电加速器，研究了热氧化工艺与ＳｉＯ２－Ｓｉ结构的电子辐射效应和辐射损伤机制。结果表明，高能电子辐照ＳｉＯ２－Ｓｉ结构引起的ＭＯＳ电容平带电压漂移ΔＶｆｂ与ＳｉＯ２膜厚ｄｏｘ＾２成正比。由Ｐ型硅为衬底或掺氯氧化的ＳｉＯ２－Ｓｉ结构......
[期刊论文] 作者：谢茂浓,
来源：四川大学学报(自然科学版) 年份：1998
采用聚甲基苯乙基硅烷－酚醛酯脂双层工艺，用３０８ｎｍＸｅＣｌ准分子激光作曝光光源，经Ｏ２等离子体处理，实现了亚微米图形尺寸的转移。...
[期刊论文] 作者：谢茂浓,
来源：微电子学 年份：2004
本文报导用脉冲CO_2激光辐照磷扩散多晶硅,获得多晶硅薄层电阻从17Ω/□降低到7.4Ω/□的结果。并用扫描电子显微镜观察了激光辐照后的表面结构形貌。对激光辐照多硅的热稳定...
[期刊论文] 作者：谢茂浓,
来源：半导体技术 年份：1982
一、问题的提出 随着半导体器件向着小尺寸,高集成度方向发展,许多新的工艺技术比如电子束曝光、ⅹ-射线曝光、离子注入、射频溅射、等离子体氧化、等离子体刻蚀等等新技术...
[期刊论文] 作者：谢茂浓,
来源：四川大学学报(自然科学版) 年份：1981
一、引言硅热氧化层错是在硅器件热氧化工艺中产生的一种二次缺陷,它是由1/3[111]Frank不全位错环围绕的非本征填隙型层错。由于它对硅器件质量有显著影响,因而引起了器件工...
[期刊论文] 作者：谢茂浓,
来源：四川大学学报(自然科学版) 年份：1997
作者从半导体硅桥（ＳＣＢ）点火的机理出发，得到了实现ＳＣＢ点火的基本关系式并计算了ＳＣＢ在熔化、气化过程中与温度无关的比热．作者还对实现ＳＣＢ点火有关参数的取值进行了讨论．经对关系式的分析及计算......
[期刊论文] 作者：谢茂浓,
来源：四川大学学报(自然科学版 年份：1983
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[期刊论文] 作者：谢茂浓,
来源：四川大学学报(自然科学版 年份：1980
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[期刊论文] 作者：谢茂浓,傅鹤鉴,
来源：半导体学报 年份：1999
红外吸收谱分析表明，聚硅烷在氧等离子体外理后转变成ＰＳｉＯｘ中的ｘ在１．５－２之间，其高频Ｃ－Ｖ特性曲线的平带电压为正，大小与氧等离子处理条件和ＰＭＰＥＳ厚度有关。......
[期刊论文] 作者：朱世国,谢茂浓,
来源：物理实验 年份：1995
微型计算机在温度检测系统中的应用朱世国，谢茂浓（四川大学物理系）一、前言计算机检测和控制技术已广泛应用于工业生产、科学研究和物理实验中，模数转换和接口技术是计算机在这些......
[期刊论文] 作者：谢茂浓,杜开瑛,
来源：半导体情报 年份：1998
对真空紫上光直接光ＣＶＤ法制备的ＳｉＯ２膜进行温度偏压处理，测量了处理前后物高频Ｃ－Ｖ特性曲线，计算出可动离子数为２×１０＾１１ｃｍ＾－２。处理后的特性曲线有明显的滞后效应，其滞后方向与极化效应的方向相同......
[期刊论文] 作者：谢茂浓,杜开瑛,
来源：微电子学 年份：1998
采用高频（１ＭＨｚ）Ｃ－Ｖ测试和红外谱，研究了工艺参数对Ｘｅ激发真空紫外光（ＶＵＶ）直接光ＣＶＤ ＳｉＯ２的ＳｉＯ２／Ｓｉ界面特性的影响。结果表明：衬底温度Ｔｓ对固定氧化物电荷密度ΔＮｏｔ、慢界面态密度ΔＮｓｔ的影响比反应室总气压Ｐｃ和ＳｉＨ２／Ｏ２分压比显......
[期刊论文] 作者：向少华,谢茂浓,
来源：怀化师专学报 年份：2002
用氧等离子体法在低温下已将自合成的聚硅烷涂层成功地转变为二氧化硅薄膜.红外光谱分析表明薄膜的Si-O伸缩振动特征峰为1075cm-1,并随处理时间的延长峰位向高波数移动,可至1...
[期刊论文] 作者：谢茂浓,向少华,
来源：半导体光电 年份：1998
红外吸收谱分析表明，聚硅烷Ｐｏｌｙｍｅｔｈｙｌ ｐｈｅｎｅｔｈｙｌ ｓｉｌａｎｅ（ＰＭＰＥＳ）在氧等离子体处理后转变成ＰＳｉＯ膜，ＰＳｉＯ中的ｘ在１．５－２．０之间，其高频Ｃ－Ｖ特性曲线的平带电压力正，大小与氧等离子处理条件和ＰＭＰＥＳ厚度有关。......
[期刊论文] 作者：谢茂浓,杜开瑛,
来源：半导体光电 年份：1998
研究了ＶＵＶ（真空紫外）光直接光ＣＶＤ（化学汽相淀积）ＳｉＯ２／Ｓｉ界面微结构缺陷与衬底温度（Ｔｓ）的关系。实验结果表明：在３２℃￣１８０℃的温度范围内，与Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉ伸缩模相对应的ＩＲ峰位随Ｔｓ的降低从１０６０ｃｍ＾－１增加到１０８０ｃｍ＾－１。固定氧化物电荷密度（ΔＮｏｔ）在Ｔｓ〉１２０℃......
[期刊论文] 作者：傅鹤鉴,谢茂浓,
来源：四川大学学报：自然科学版 年份：1997
采用３０８ｎｍＸｅＣｌ准分子激光研究了聚硅烷溶液和聚硅烷薄膜的光降解反应，利用玻璃片为基底，旋转涂布，分别以酚醛树脂和聚氨酯为平坦层，以聚硅烷为成像层和阻挡层，构成双层工艺，进行接近式曝光，用......
[期刊论文] 作者：谢茂浓,杜开瑛,
来源：四川大学学报：自然科学版 年份：1999
根据光吸收定律和边界层理论，得到了直接法ＣＶＤＳｉＯ２膜沉积速率方和Ｒｓｉｏ２＝∑／ｉ，ｊ，ｋＫｉＤｉ／Ｎｓｉｏ２√ｐＵ０／μＬＩ０λ「１－ｅ－（ｐｐｃｒ／ｐＴｘ）」主程与实验结果基本相符。......
[期刊论文] 作者：谢茂浓,朱世国,
来源：四川大学学报(自然科学版) 年份：
通过导出的温度传感器的温度电压特性线性化电路参数Ｒｓ和Ｒｆ应满足的方程组，在（Ｒｓ，Ｒｆ）变数平面内对该方程组的性质进行了分析，并提出了求解这一方程组的数值计算方法和计算传感器非线性误差的理论公式，其理论计算与实验结果吻合较好．......
[期刊论文] 作者：谢茂浓,潘文元,
来源：四川大学学报(自然科学版) 年份：1985
最近我们在研究硅中杂质扩散与缺陷的关系时，偶然观察到一种如压印位错“花结”的缺陷，为了了解这种缺陷的形成原因和结构特点，我们对大量实验样片进行了化Recently, when we...
[期刊论文] 作者：谢茂浓,焦其书,
来源：四川大学学报(自然科学版) 年份：1980
本文对P型(100)无位错硅晶片的热氧化堆垛层错长度生长和收缩规律进行了研究.给出层错长度、氧化时间,氧化温度之间的关系为L=kt~nexp(~-E/KT).对于干氧氧化,n和E分别为0.62...
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