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[会议论文] 作者：刘宏新,
来源：2000年全国危重病急救医学学术会议 年份：2000
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[会议论文] 作者：刘宏新,房俊龙,
来源：中国汽车工程学会2003学术年会 年份：2003
复合驱动是以节能为目标的汽车回收减速、制动能量的系统,该系统受汽车运行工况、使用环境的影响较大.控制系统根据实际情况适时控制能量回收与释放的转换,适度控制能量回收与释放的强度,控制过程以驾驶人员意图为前题,以实际运行参数为依据,以提高动力性,降低......
[会议论文] 作者：孙殿照,王军喜,王晓亮,刘宏新,
来源：第七届全国固体薄膜学术会议 年份：2000
利用改造的国产GSMBE系统和NH-MBE技术，在C面蓝宝石上外延出了高质量的GaN材料，其室温电子迁移率达300cm/Vs，相应的背景电子浓度为2x10cm。X射线(0002)衍射摇摆曲线半高宽为6 ar...
[会议论文] 作者：孙殿照,王军喜,王晓亮,刘宏新,
来源：全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议 年份：2000
介绍了用NH-MBE技术在蓝宝石C面上外延的高质量的GaN单层膜以及GaN/AlN/GaN 极化感应二维电子气材料。外延膜都是N面材料。形成的二维电子气是“倒置二维电子气” 。GaN单层...
[会议论文] 作者：孙殿照,刘宏新,王军喜,王晓亮,
来源：全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议 年份：2000
介绍了用NH-MBE技术在蓝宝石C面上外延的高质量的GaN单层膜以及GaN/AlN/GaN 极化感应二维电子气材料。外延膜都是N面材料。形成的二维电子气是“倒置二维电子气” 。GaN单层膜的室温电子迁移率为300cm/Vs。二维电子气材料的迁移率为680cm/Vs(RT)和1700cm/Vs(77K......
[会议论文] 作者：孙殿照,王军喜,王晓亮,刘宏新,
来源：第七届全国固体薄膜学术会议 年份：2000
利用改造的国产GSMBE系统和NH-MBE技术，在C面蓝宝石上外延出了高质量的GaN材料，其室温电子迁移率达300cm/Vs，相应的背景电子浓度为2x10cm。X射线(0002)衍射摇摆曲线半高宽为6 arcmin。在此基础上外延的GaN/AIN极化感应二维电子气材料室温和低温(77K)的电子迁移率分......
[会议论文] 作者：林郭强,曾一平,王晓亮,刘宏新,
来源：第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2006
使用NH3源MBE在Si(111)衬底上生长了(0001)面的六方GaN外延层.插入不同层数和组分的AlzGa1-xN缓冲层后,发现AlxGa1-xN层的组分变化越平滑,GaN外延层中的张应力就越小,同时微...
[会议论文] 作者：王军喜,王晓亮,刘宏新,胡国新,李建平,李晋闽,曾一平,
来源：第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议 年份：2004
使用MBE方法在Si(111)衬底和Si-SiO-Si柔性衬底上生长了GaN外延层,并对在两种衬底上生长的样品进行了对比分析.在柔性衬底上获得了无裂纹的外延层.研究了GaN外延层中的应力和光学性质,光致发光测试结果表明柔性衬底上生长的外延层中应力和杂质浓度明显低于直接......
[会议论文] 作者：张南红,王晓亮,王军喜,刘宏新,肖红领,曾一平,李晋闽,
来源：第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议 年份：2004
作用NH源MBE在Si衬底上生长了GaN外延层并制备了MSM紫外探测器,GaN(0002)峰的双晶X射线摇摆曲线半峰宽为12.9弧分,AFM均方根粗糙度为0.88nm.加5.5V偏压,当波长小于363nm时,MSM紫外探测器峰值响应度为1.97A/W;当波长大于383nm时,响应度为6.8×10A/W.......
[会议论文] 作者：王军喜,孙殿照,王晓亮,刘宏新,曾一平,李晋闽,林兰英,
来源：第六届全国分子束外延学术会议 年份：2001
本文介绍了在改造过的国产MBE设备上使用NH作氮源,采用GS MBE分法在(00001)AlO衬底上生长出了高质量的GaN单晶外延膜....
[会议论文] 作者：魏萌,李建平,刘宏新,王翠梅,肖红领,王晓亮,李晋闽,王占国,
来源：第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议 年份：2009
本文研究了高温AlN缓冲层厚度对 Si(111)衬底上GaN外延薄膜的表面形貌和晶体质量的影响，实验采用MOCVD方法在Si(111)衬底上外延生长A、B、C、D、E五个样品，其中高温AlN缓冲层的厚度依次是50、100、150、200、250nm，GaN外延层的厚度都是1μm。使用光学显微镜、AFM和......
[会议论文] 作者：王军喜;王晓亮;孙殿照;刘宏新;胡国新;李晋闽;曾一平;林兰英;,
来源：中国电子学会第八届青年学术年会暨中国电子学会青年工作委员会成立十周年学术研讨会 年份：2002
氮化镓(GaN)材料在蓝、绿光光电子器件和高温、高频大功率微电子器件领域有着广泛的应用,而材料极性对氮化镓材料及器件有着重要的影响.本文用NH3作氮源,采用气源分子束外延(...
[会议论文] 作者：王军喜,王晓亮,孙殿照,刘宏新,胡国新,李晋闽,曾一平,林兰英,
来源：第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2002
氮化镓(GaN)材料在光电子和微电子领域具有重要的应用潜力,而材料极性对氮化镓材料及器件都有着重要的影响.我们用NH作氮源,采用气源分子束外延(GSMBE)方法,通过使用RF-MBE(射频等离子体源分子束外延)GaN作为模板,在(0001)蓝宝石衬底(AlO)上生长出了高质量的镓......
[会议论文] 作者：罗木昌,王晓亮,刘宏新,王雷,李晋闽,孙殿照,曾一平,林兰英,
来源：第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2002
通过采用短周期的AlN/GaN超晶格和低温AlN夹层,我们首次在国内用气源MBE方法在Si(111)衬底上获得了厚度约为1微米左右的完全无裂纹的GaN外延层.在光学显微镜下可以观察到在原生的薄膜表面的小丘状Ga面特征,并用双晶X射线回摆曲线对外延层的质量进行了评价,我们......
[会议论文] 作者：胡国新,王晓亮,孙殿照,刘宏新,刘成海,曾一平,李晋闽,林兰英,
来源：第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2002
用射频等离子体辅助分子束外延技术(RF-MBE)在C面蓝宝石衬底上外延了高质量的GaN膜以及AlN/GaN周期结构极化感应二维电子气材料.所外延的GaN膜室温背景电子浓度为2.2×10cm,相应的电子迁移率为221cm/Vs;GaN(0002)X射线衍射摇摆曲线半高宽(FWHM)为7arcmin;AlN/Ga......
[会议论文] 作者：王晓亮;孙殿照;王军喜;胡国新;刘宏新;刘成海;曾一平;李晋闽;林兰英;,
来源：中国电子学会第八届青年学术年会暨中国电子学会青年工作委员会成立十周年学术研讨会 年份：2002
用压电极化和自发极化诱导效应设计了AlxGa1-zN/GaNHEMT结构材料,用MBE方法在蓝宝石衬底上对所设计的材料进行了制备.室温HALL测量结果表明,HEMT结构材料的二维电子气浓度和...
[会议论文] 作者：王晓亮,孙殿照,王军喜,胡国新,刘宏新,刘成海,曾一平,李晋闽,林兰英,
来源：第六届全国分子束外延学术会议 年份：2001
AlGaN/GaN HEMT材料具有更大的自发极化强度和更大的压电极化系数,由于自发极化和压电极化效应的影响,AlGaN/GaN HEMT结构材料可产生的二维电子气浓度可大于10cm,比GaAs基和I...
[会议论文] 作者：孙殿照,王晓亮,胡国新,王军喜,刘宏新,刘成海,曾一平,李晋闽,林兰英,
来源：第六届全国分子束外延学术会议 年份：2001
本文报道了使用NH-MBE技术和PA-MBE在C面蓝宝石上外延高质量GaN以及AlGaN/GaN二准电子气材料的结果....
[会议论文] 作者：王晓亮,孙殿照,王军喜,胡国新,刘宏新,刘成海,曾一平,李晋闽,林兰英,
来源：第六届全国分子束外延学术会议 年份：2001
AlGaN/GaN HEMT材料具有更大的自发极化强度和更大的压电极化系数,由于自发极化和压电极化效应的影响,AlGaN/GaN HEMT结构材料可产生的二维电子气浓度可大于10cm,比GaAs基和I...
[会议论文] 作者：肖红领,王晓亮,韩勤,王军喜,张南红,徐应强,刘宏新,曾一平,李晋闽,吴荣汉,
来源：第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议 年份：2004
由于生长氮化铟(InN)所需平衡氮气压较高,而且InN分解温度比较低,因此,在生长InN时铟(In)原子很容易在表面聚集形成In滴,使InN外延膜的表面形貌变差,影响InN外延膜质量的提高.本文研究了V/Ⅲ比和生长温度对RF-MBE生长氮化铟外延膜表面形貌的影响,发现V/Ⅲ比和生......
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