GaNHEMT相关论文
DToF （Direct Time-of-Flight）激光雷达通过直接测量激光的飞行时间完成距离测量和地图成像，应用于自动驾驶的DToF激光雷达需要具备更......
随着能源问题和环境问题的日益严峻,推广电动汽车刻不容缓。电动汽车的充电设备有充电桩和车载充电机两种。充电桩需要建设充电站,......
为实现纳秒级的输出光脉宽，使用GaN HEMT作为激光器放电回路的开关管。由于GaN HMET的栅极总电荷小，提出使用小尺寸的GaN HEMT建立驱......
随着高速电机驱动技术的不断发展,高速电机对逆变器高频化的需求也不断增强。传统的硅基开关器件受限于自身材料特性,难以满足高速......
对于薄势垒Ga N HEMT采用传统钝化方式后器件表面漏电严重的问题,我们提出了一种新型钝化方式,该方式重点在于对新片进行清洗后,立......
GaN HEMT器件以其优良的性能被广泛应用于各种领域的电子设备中。由于其经常被用于高频、高温和高辐射的环境中，过高的环境应力会加......
增强型GaN HEMT器件具有耐高压、耐高温、低导通损耗和低开关损耗的特点,被广泛应用于高压高频的功率转换领域。非钳位式感性负载......
宽禁带半导体材料碳化硅（Silicon Carbide,SiC）和氮化镓（Gallium Nitride,Ga N）相较于硅（Silicon,Si）具有更宽的禁带宽度、更高的临界击......
GaN HEMT器件在高功率下由于自热效应的影响会使其结温显著上升,过高的结温会使得器件各个方面的性能发生恶化,导致其大功率性能远......
随着氮化镓（GaN）半导体技术研究和发展,GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）单片微波集成电路（MMIC）也逐渐应用于卫星通信、雷达探测以及人们生......
凭借着优良的电气特性,氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）正逐渐被市场认可并已经率先应用在消费电子领域。由于增强型GaN HEMT的......
氮化镓基高电子迁移率晶体管（High electron mobility transistor,HEMT）具有传统硅基器件难以企及的高击穿电压、高功率密度及低开关......
随着5G时代的到来,以硅（Si）和砷化镓（Ga As）材料为代表的第一、二代半导体,已经无法满足当前大功率场景应用的需求,而以氮化镓（GaN）为首......
GaN材料具有宽禁带宽度、高耐受电压、高功率密度等特性,能够很好地满足功率器件在耐高温、大功率、高效率等方面的性能要求。本文......
基于自主开发的100 nm GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,研制了一款工作频段覆盖E波段(60～90 GHz)的宽带高功率放大器芯片.放大器......
微波功率放大器广泛运用在了众多领域之中,例如移动通信基站、雷达、卫星通信、航空航天等。第三代半导体材料GaN以其禁带较宽、高......
为了改善GaN HEMT的自热效应,集成高热导率的金刚石衬底有助于增强器件有源区的热量耗散.然而,化学气相淀积(CVD)生长的多晶金刚石......
介绍了一种用于高功率高速GaN功率开关的全GaN栅驱动电路。该电路主要基于两个常开型GaN HEMT和一个自偏置电阻。根据该拓扑结构的......
GaN器件为高电子迁移率晶体管（HEMT）器件,它有AlGaN和GaN基器件,以其优异的电子迁移率、禁带宽度、高频、高温、大功率等特性,备受关......
近三十年来,半导体技术的发展遵循着摩尔定律,即器件特征尺寸大概每两年缩短一半。尺寸微缩造成有源器件面临着严峻的自热效应,会......
研究了氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)的温度特性,分析了自热效应造成GaN HEMT的电流崩塌现象.提出了一种图形化衬底技术来降......
提出了一种改进的氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMTs)的小信号和大信号模型.该小信号模型通过改进拓扑结构来提升对高频下分布式......
基于GaN HEMT工艺研制了一款8～12.5 GHz宽带6 bit数字移相器.通过采用优化的宽带拓扑和集总元件,以及在片上集成GaN并行驱动器,提高......
GaN HEMT器件的常温反偏老化实验中发现器件的栅漏电流明显增大。微区拉曼研究发现,栅漏电的增加伴随着HEMT器件沟道GaN材料张应力......
自主研制的GaN HEMT,栅源泄漏电流从10-4A鼍级减小到了10-6A量级,有效提高了栅漏击穿电压,改善了器件工作特性。采用MIS结构制作了......
为实现母线变换器的高效率和高功率密度,应用GaN HEMT将LLC-DCX的开关频率提高到1 MHz,在提高了变换器的功率密度的同时,实现了较......
为满足通信基站对功率放大器的需求,提出了一种新型的成对可重构四波段阻抗变换器,该阻抗变换器采用双Ⅱ型与T型的混合结构,通过插......
为测量GaNHEMT表面GaN微小结构稳态条件下的温度分布,研发光热反射热成像实验装置并对典型的GaN HEMT进行温度测试.该实验装置以36......
本文研究了一种基于100 nm氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺设计的24~30 GHz单片集成单刀双掷(SPDT)开关.该开关采用1/4波......
据日本《电子材料》2003年第5期报道,日本冲电气工业公司日前开发了用于无线通信的GaN—HEMT功率器件。随着无线通信系统通信容量......
美国TriQuint Semiconductor公司和Lockheed Martin公司开发出一种可提高功率、效率和稳定性的先进GaN工艺方法。 GaN HEMT器件具......
据日本《电子材料》报道,日本冲电气工业公司日前开发了用于无线通信的GaN-HEMT功率器件。随着无线通信系统通信容量的增加以及多......
Tri Quint与Lockheed Martin公司共同研制出一种高功率密度、PAE及RF寿命长的GaN HEMT。该器件连续波功率为12W/mm,频率在10GHz时......
据《信学技报》(日)2010年110-25期报道,日本三菱电机公司采用GaNHEMT开发了C-X波段的宽带大功率放大器。小信号S参数在2.3倍频带......
据《东芝レビュ一》2010年第3期报道,日本东芝公司开发了固态放大器应用的50 W级GaN HEMT系列产品。主要形成系列的是10 GHz和11 G......
据《信学技报》(日)2009年109(210)期报道,日本电气通信大学采用串联负荷型GaN HEMT开发了微波多蒂尔功率放大器。1.9 GHz的放大器......
据报道,日本电气通信大学发表了采用GaN HEMT器件制作的多尔蒂功率放大器。该功率放大器在1.9 GHz下,饱和输出功率31 dBm,功率附加......
本文对具有不同的栅源双场板结构的p-GaN栅HEMT器件的性能进行了比较,利用半导体器件仿真工具Synopsys TCAD对器件电学特性进行了......
基于标准工艺自主研制了L波段0.5μm栅长的GaN HEMT器件。该器件采用了利用MOCVD技术在3英寸(1英寸=2.54 cm)SiC衬底上生长的AlGaN......
氮化镓高电子迁移率晶体管(Ga N HEMT)器件具有高功率和功率密度、高导热率、高击穿场强、宽工作频带等特点,适合小型化、宽频带、......
基于Ga N微波功率器件工艺制作了大栅宽Ga N高电子迁移率晶体管(HEMT)管芯,通过负载牵引及建模技术提取了管芯的输入阻抗、输出阻......
