Micro-Defects相关论文
The GaAs material is one of important semiconductor materials, it has wide applications in the design and manufacturing ......
为了探究功率超声对ф1 250mm大规格2219铝合金铸锭微观缺陷的影响,对试样打磨抛光处理后进行扫描电镜能谱分析以及光学显微分析。......
用化学腐蚀法、金相显微观察、透射电镜(TEM)、电子探针X射线微区分析(EPMA)和扫描电镜能谱分析(EDX)等手段,对φ76mm非掺杂(ND)半绝缘砷化......
为了消除辐射损伤,获得准确的目标电阻率,中子嬗变掺杂区熔硅通常采用750 ̄850℃-2h的退火工艺,实践中发现,采用上述工艺退火后的NTDFZSi在大于1150℃-5h退火时,会......
通过在Ar气氛及真空环境中进行的高阻区熔Si单晶生长实验,分析了晶体直径、晶体生长环境及晶体生长速率对晶体中微缺陷及少子寿命......
应用小角X射线散射研究含能材料降感RDX微缺陷结构,给出降感RDX样品材料内部微缺陷尺寸及微缺陷数量信息,分析了降感RDX晶体在生长过......