Photoresist相关论文
Synthesis and Properties of UV-curable Hyperbranched Polyurethane and Its Application in the Negativ
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In order to realize the uniform coating of photoresist on large area substrates,which could hardly been attained by othe......
在二元光学衍射微透镜的制作工艺中, 光刻胶的行为和特性对衬底的最终图形有着极为重 要的作用。光刻和刻蚀两道工序都要求实际图......
多参数联合优化是光刻分辨率增强技术的发展方向。提出了一种以光刻胶三维形貌差异为评价目标的光刻多参数联合优化方法。以多个深......
利用低能离子轰击在光刻胶表面诱导产生自组织纳米波纹结构,将其作为掩模,与反应离子束刻蚀技术相结合,在熔石英表面制备了亚波长......
研究了制作折射型微透镜列阵的一种新方法光刻胶热熔成形法，获得了20×20的折射型微透镜列阵，单元微透镜相对口径为F/2，单元透镜直径......
一台设备被设计并且集合了分析分子的玻璃(MG ) 除去在极端下面的光致抗蚀剂紫外(EUV ) 暴露。与不同部件和 tert-butoxycarbonyl ......
本文通过对荣华二采区10...
为探究吕家坨井田地质构造格局,根据钻孔勘探资料,采用分形理论和趋势面分析方法,研究了井田7......
为了在一个封装内集成更高层次的功能,设计人员采用了创造性的策略,即将多芯片规格、类型乃至材料合并成单个组件.连接不同的芯片......
Photoresists are radiation-sensitive materials used for forming patterns to build up IC devices.To date,most photoresist......
在四次光刻工艺中,半光刻制程中光刻胶膜残量的控制,对于TFT沟道形貌以及电学特性至关重要。因此,本文研究了在氧化物TFT-LCD四次......
讨论了用醇酸树脂或聚氨脂树脂为平坦层,几种不同的枝状和线状聚硅烷为抗蚀层,在玻璃基片上的XeCl准分子激光光刻效果.由于聚硅烷......
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以芳香族双迭氮基化合物为交联剂，苯氧基二苯甲酮为光敏剂，聚甲基丙烯酸甲酯（ＰＭＭＡ）为基质树脂，合成了负型激光光致抗蚀剂。该体系能够在氮分......
作者合成了叠氮甲基聚苯乙烯和卤甲基聚苯乙烯的两类光致抗蚀剂,并考察了它们的感光特性、增感特性及抗干蚀刻的性能。......
由链末端含有-COOH、-OH和丙烯酰氧基的超支化聚合物、多官能丙烯酸酯和光引发剂三组分组成光致抗蚀剂。在玻璃片上成膜后硬度可达......
采用环氧树脂改性超支化聚酯制备了玻璃刻蚀用的光刻胶掩膜，研究了该感光树脂的感光活性、耐刻蚀性，以及加入HCl、HNO3后刻蚀对玻璃......
介绍了国内外光致抗蚀剂的研究进展、化学增幅光致抗蚀剂用光产酸剂--硫鎓盐的主要合成方法,同时介绍了193nm光致抗蚀剂所使用的光......
研究了用于制备悬空结构的叠层光刻胶牺牲层工艺．讨论了工艺中常遇到的烘胶汽泡、龟裂、起皱、刻蚀电镀种子层时产生的絮状物和悬空......
介绍了新型光致抗蚀剂在标牌行业的新应用,新型光致抗蚀剂也可以用于金属浮雕工艺品的制备中.这是一种适于网印的新材料,可以适用......
提出一种新型载药微针结构设计方案，采用硅的各向异性刻蚀工艺与SU一8胶光刻工艺相结合的方法制备硅与光刻胶复合载药微针模具，将硅......
选用两种较为典型的国产Lift-Off光刻胶(A和B)进行了实验优化,并进行了电极蒸镀后的牢固度测试、电致发光测试和电性能测试。在牢......
成功开发出以劳厄干涉为基础的激光干涉光刻系统与工艺,该工艺可在大面积范围内加工二维周期性图形,非常适合于生产光电子器件和微......
在中国科学院上海应用物理研究所的扫描质子微探针装置上，研制了图形化扫描器，同时研究了适合质子束刻写的光刻胶制备、显影、定影技......
制备Ga As基电注入阴极需要在p型Ga As材料上制备周期性分布的金属薄膜电极。实验中,分别采用正性光刻胶AZ5214和负性光刻胶RPN115......
电子束曝光技术是近三十年来发展起来的一门技术 ,主要应用于 0 .1～ 0 .5μm的超微细加工 ,甚至可以实现纳米线条的曝光。文中重点......
光刻胶作为离子束刻蚀的掩膜已得到了普遍采用，由于它在受到离子束轰击时会发热收缩、不利于刻蚀线条高宽比的提高，限制了它的进一步......
针对用常规光刻热熔法制作折射型微透镜阵列的过程中，临界角效应严重制约了长焦距微透镜阵列制作问题，提出了曲率补偿法；在经过常规光......
采用C-MEMS（carbon-microeletromechanic system）新型工艺制备碳微电极,将光刻胶经光刻、热解而得到导电碳微电极图形.利用国产BP212......
光刻胶灰化是薄膜晶体管四次光刻工艺的核心工艺之一。初步研究了用纯O2对光刻胶进行灰化的工艺，影响光刻胶灰化的主要因素有功率、......
本文对影响LTPS工艺中光刻胶和衬底间粘附力的4个因素进行了实验及理论分析。经实验发现：衬底的材质和粗糙度以及光刻胶中分子量的......
通过光学功能薄膜、粘合剂、光刻胶和偏光片等的制作和在LCD显示面板制造中的用途，介绍了辐射固化技术在液晶显示器制作中的应用。......
制备了一种阳离子含有萘基,阴离子分别为对-甲苯磺酸、甲磺酸及三氟甲磺酸的硫鎓盐.它们有高的热解温度和在常用有机溶剂中较好的......
以二苯亚砜为起始反应物，通过改进反应溶剂，首先合成了溴化三苯基硫鎓盐，大大缩短了反应时间，提高了该盐的反应收率．再运用银盐置换法，合......
设计并合成了一种对高压汞灯发射光谱中的h-线（405nm）敏感的新型光致产碱剂（PBG）—N-{[（5-哌啶-2-硝基苄基）氧]-羰基}-2，6-二甲基哌啶（PNCD......
我们运用紫外光刻及热熔成形的方法，制作 了２０ｍｍ＊２０ｍｍ的折射型微透镜阵列，单元微透镜相对口径为Ｆ／２单元透镜直径９０μｍ，中心间隔１００μｍ。......
介绍了一种刻蚀效果良好的PZT铁电薄膜反应离子刻蚀方法。利用深反应离子刻蚀设备研究了反应离子刻蚀中刻蚀气氛、刻蚀功率及刻蚀......
开发了一种采用金属膜绿基玻璃作为芯片制作材料,在玻璃上旋涂光刻胶层,制作微流控芯片的工艺.针对光刻胶层不耐刻蚀液腐蚀的特点,......
通过对预烘、光刻胶旋涂、软烘焙、对准曝光、后烘、显影、坚膜的光刻工艺过程分析,主要介绍了光刻工艺中容易出现的问题及解决方......
In this paper,we report the study of the process of fabricating a multi-layermetal micro-structure using UV-LIGA overlay......
我们用Ｈｅｎｋｅ型软Ｘ射线源完成了栅网的接触式成像，采用Ｔａｌｙｓｔｅｐ台阶仪测量了不同曝光时间ＰＭＭＡ光刻胶的溶解速率。由测量曲线可知光刻胶在显影开始时速率......
通过溅射电镀种子层前预烘胶与严格控制烘胶温度变化速率、用KOH稀溶液去胶、再用稀腐蚀体系加以轻度超声干涉去除电镀种子层和使......
提出一种用光致抗蚀剂膜层制作单层结构衰减相移掩模的新方法,介绍这种方法的原理和制作工艺,并给出这种方法制作的衰减相移掩模用......
研究了常用的国产BP212正型紫外光刻胶和光学曝光机在利用剥离工艺制备电极中的适用性.结果表明,采用国产的光刻胶和曝光设备完全......
近几年来液态感光抗蚀抗电镀油墨不仅应用于电路板行业，而且广泛应用于标牌、面板、模具制作等许多领域。详细阐述了光源和曝光设备......
简述了电路板制造的湿膜工艺流程及其应用,重点论述了UV光强度与电路板线条精细度的关系以及影响线条细度的诸因素,并介绍了我国电......
介绍了光成像抗蚀抗电镀油墨的使用、工艺流程及操作方法,并提出了各工序中容易出现的问题及预防的办法.......
本文简述了感光抗蚀抗电镀油墨的应用前景及优势,从标牌面板的制作、用加成法在金属表面和非金属表面制作图形、用减成法在凹凸标......
