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用减压化学气相沉积技术制备应变硅材料的研究

来源 :第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：qwe007wc
【摘 要】
：
本文利用减压化学气相沉积技术,制备出应变硅/Si0.85Ge0.15/组分渐变SiGe/Si衬底结构.通过控制组分渐变SiGe层的组分梯度,以及适当优化固定组分Si0.85Ge0.15层的外延生长工艺
【作 者】
：
王敬 梁仁荣 徐阳 刘志弘 许军 钱佩信 
【机 构】
：
清华大学微电子学研究所,北京,100084
【出 处】
：
第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会
【发表日期】
：
2005年期
【关键词】
：
减压 化学 气相沉积技术 低表面粗糙度 组分 位错密度 原子力显微镜 应变硅 外延生长工艺 分析表 优化 梯度 控制 结构 衬底 
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本文利用减压化学气相沉积技术,制备出应变硅/Si0.85Ge0.15/组分渐变SiGe/Si衬底结构.通过控制组分渐变SiGe层的组分梯度,以及适当优化固定组分Si0.85Ge0.15层的外延生长工艺,可以有效降低表面粗糙度和位错密度.原子力显微镜分析表明:表面粗糙度可以从3.07nm改善到0.75nm.表面应变硅层应变度约0.6﹪,位错密度约为5×104cm-2.
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