【摘 要】
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在本篇文章中报导了一种新的GaAs合成技术.该技术是在惰性气体压力下,在准密封条件下,不使用BO,用高压合成法简便快捷地制备GaAs多晶.本篇文章还对高压原位合成LEC工艺和先合成GaAs多晶粒,再用低压或中压单晶炉进行拉晶的二步拉晶工艺进行了对比.对有砷端布耳兹曼拉晶工艺或梯度冷凝工艺与无砷端布耳兹曼拉晶工艺或梯度冷凝工艺进行了对比,说明了预先合成GaAs多晶料的必要性.
【出 处】
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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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在本篇文章中报导了一种新的GaAs合成技术.该技术是在惰性气体压力下,在准密封条件下,不使用B<,2>O<,3>,用高压合成法简便快捷地制备GaAs多晶.本篇文章还对高压原位合成LEC工艺和先合成GaAs多晶粒,再用低压或中压单晶炉进行拉晶的二步拉晶工艺进行了对比.对有砷端布耳兹曼拉晶工艺或梯度冷凝工艺与无砷端布耳兹曼拉晶工艺或梯度冷凝工艺进行了对比,说明了预先合成GaAs多晶料的必要性.
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