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超长六角多型纳米碳化硅晶须的光学性质

来源 :第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：tianshu888
【摘 要】
：
本文采用改进的PECVD(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition)技术首次制备出六角多型碳化硅纳米晶须.高分辨率电镜观察其直径在18-50nm之间.长度为0.3um-6mm.Raman光谱表明
【作 者】
：
张洪涛[1]Uli.Lemmer[2]Georg.Bastian[2] 
【机 构】
：
湖北工业大学,电气与电子工程学院,武汉,430068
【出 处】
：
第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会
【发表日期】
：
2005年期
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本文采用改进的PECVD(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition)技术首次制备出六角多型碳化硅纳米晶须.高分辨率电镜观察其直径在18-50nm之间.长度为0.3um-6mm.Raman光谱表明它是六角多型(4H)纳米碳化硅晶须.紫外光激发出现高强度蓝光发射.同时在550nm-620nm和700nm-750nm处分别出现两宽带发射,其中蓝光发射带经计算,4H-碳化硅带隙为3.98eV,这一发光现象与量子力学计算结果不符，说明了碳化硅晶须光学性质特殊性.
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