PECVDSiN及其在GaAsMESFET中的应用第Ⅱ部分：PECVDSiN的性质及其对GaAs器件性能的影响

来源 :半导体情报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：xxk2010

【摘要】

：

ＰＥＣＶＤＳｉＮ及其在ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ中的应用第Ⅱ部分：ＰＥＣＶＤＳｉＮ的性质及其对ＧａＡｓ器件性能的影响罗海云（电子部第１３研究所，石家庄，０５００５１）ＰＥＣＶＤＳｉＮａｎｄＩｔｓＡｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｉｎＧａＡｓＭＥＳＦＥＴＰａｒｔⅡ：Ｐｒ... PECVDSiN and Its Applications in GaAsMESFETs Part II: Properties of PECVDSiNs a

【作者】

：

罗海云

【出处】

：

半导体情报

【发表日期】

：

1994年02期

【关键词】

：

GaAsMESFET 器件性能 PECVDSiN 淀积薄膜质量击穿电压台阶覆盖罗海表面耗尽层工艺条件

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