台阶覆盖相关论文
4．几何形状导线的几何形状一尺寸、转角数目、台阶覆盖以及同一条线上宽度的变化对电迁移特性也有重要的影响。其中尺寸的影响在前......
本文分析了以正硅酸乙酯溶液为源，用等离子体增强化学汽相淀积法淀积的氧化硅膜的成分与电荷等特性，以及淀积和退火工艺条件对这些特......
多层金属有线互连技术是VLSI工艺中最重要和关键的技术之一．本文系统地研究了用效0．8μmCMOSVLSI的双层金属布线工艺技术，特别是对双......
一、前言随着我国金卡工程的实施，IC卡的研究开发已成为一个热点。IC卡保存数据介质是低功耗MOS或CMOS芯片，其使用的存储器有RAM、RO......
得益于双重大马士革结构的尺寸不断缩小、低介电常数绝缘材料的引入和铜互连可靠性的提升,逻辑产品的互连技术不断向前发展。随着......
打开一块当今集成电路的封帽,一层层剥去,就会在几个不同膜层发现CVD淀积的介质材料。首先,在钝化层,有保护芯片不受潮湿、不受灰......
LSI技术的进步和发展是惊人的,现虽已进入了VLSI时代,但其发展趋势仍在持续。作为维持这种倾向的先导当然是制造工艺技术的革新。......
新工艺和设备以及原有工艺规程的高可靠性都愈来愈强调采用CVD加工方法;许多市场上可买到的系统的处理能力是非常灵活的。
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本文研究了未掺杂和掺磷SiO_2玻璃膜的台阶覆盖。简要地讨论了在决定台阶覆盖质量中起作用的各种参数。评价了各种淀积工艺的台阶......
硼磷硅玻璃膜(BPSG)是在等离子增强型化学汽相淀积(PECVD)系统中淀积的。在一个可容纳70个园片(片径100毫米)的淀积区内,膜厚度均......
S枪是一种枪型磁控溅射源,它可以代替电子束蒸发源或电阻蒸发源,制成高质量的金属镀层。用S枪可镀制预定配比的铝-硅,铝-硅-铜台金......
准分子激光器被用于在低温下(I100-350℃)光化学淀积二氧化硅、氮化硅、氧化铝和氧化锌薄膜实验表明淀积速率可超过3000/min,并......
本文综述了电子能谱法、二次离子质谱法、核实验技术、光谱法及分光光度法分析膜层的组分化学式量比及杂质的分布,以及膜层的厚度......
PECVD(等离子增强化学汽相淀积)氮化硅薄膜在集成电路制作中已广泛用作钝化膜.其优点是制备温度低(≤400℃)、台阶覆盖好、对水份......
本文叙述在平板型等离子体径流反应器中,由硅烧和一氧化二氮激活反应淀积二氧化硅薄膜的方法,测量了薄膜的特性,包括红外吸收谱、......
介绍3种圆片级金属化电迁移可靠性测试技术:(1)金属击穿能量技术;(2)标准圆片级电迁移加速测试技术;(3)标准圆片级等温焦耳热电迁......
应用等离子体浸没Pd离子注入技术和Cu无电镀实现了Cu互连的选择性电镀。Pd原子从带负电压的靶上被溅射出来,然后在ArECR等离子体中......
一、前言随着器件的高集成化、高速化和高功能化，器件表面台阶越来越陡峭。特别是进入亚微米时代，由于微细化和高电流密度的要求，金属......
MMST工程的光刻技术关键取决于i线（365nm）和深紫外（248nm）激光光学重复步进曝光机。大多数的图形层制作均使用传统的用湿法显影的抗蚀......
一、前言随着LSI图形尺寸的微细化，对于层间绝缘股来说，不仅仅是绝缘特性，就是对具有微细且具有高纵横尺寸比的沟槽、或者是布线间无......
ＰＥＣＶＤＳｉＮ及其在ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ中的应用第Ⅱ部分：ＰＥＣＶＤＳｉＮ的性质及其对ＧａＡｓ器件性能的影响罗海云（电子部第１３研究所，石家庄，０５００５１）ＰＥＣＶＤＳｉＮａｎｄＩｔｓＡｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｉｎＧａＡｓＭＥＳＦＥＴＰａｒｔⅡ：Ｐｒ...
PECVDSiN and Its Applications in GaAsME......
一、前言目前，LSI随着器件结构的微细化，运用多层布线技术的器件结构的多层化得到进一步发展。由于这种器件结构复杂，对用绝缘收掩埋......
本文讨论了PETEOS在金属层间介质（MD）上的运用，并就其运用于亚微米CMOS、双层金属工艺中所要求的一些电、机械及结构方面的特性进行了......
当前，快速热处理（RTP）已成为许多先进的CMOS器件制造技术中必不可少的工艺技术。
At present, rapid thermal processing (RTP) has ......
针对黄土丘陵区旱坡地跑水、跑土、跑肥严重，使肥力水平越种越低、产量水平甚低的问题，把坡耕地沿等高线按种植作物要求修整成等距离......
文章首先从原理上较为全面地阐述了欧姆接触形成的必要条件和广泛应用,其次主要针对工艺生产过程中产生的多种n＋欧姆接触不良情况进......
随着VLSI工艺技术的深入发展，一些与形貌相关的问题逐渐成为了制约其发展的主要因素，微细线条光刻中聚焦深度限制、条宽控制、溅射沉......
我们在研制和生产双层布线的 3μm CMOS LSI器件时,采用了 PECVD SiON（等离子增强化学气相沉积的氮氧化硅）膜作金属层之间的绝缘层.......
本文介绍用四乙基正硅酸盐（TEOS）等离子体加速化学气相淀积SiO2膜的试验研究情况。发现,当采用氧作氧化剂的时候,所产生的膜大约含有......
利用等离子体增强化学气相沉积方法,在S iH4/N2O反应气体中掺入PH3和B2H6制备了用于硅基S iO2平面光波导的硼磷硅玻璃覆盖层.分析......
