【摘 要】
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本文通过DLTS深能普和I-V反向特性的测试,研究了经氧本征吸除处理的晶片(I-G晶片)和一般抛光片(原始晶片)在电学性能上的差别。研究结果表明,I-G工艺的本质是一个温度变化的
【机 构】
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中国科学院上海冶金研究所,中国科学院上海冶金研究所,中国科学院上海冶金研究所,中国科学院上海冶金研究所,中国科学院上海冶金研究所
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本文通过DLTS深能普和I-V反向特性的测试,研究了经氧本征吸除处理的晶片(I-G晶片)和一般抛光片(原始晶片)在电学性能上的差别。研究结果表明,I-G工艺的本质是一个温度变化的热处理过程,在产生吸杂作用的同时对晶格结构也产生热损伤影响,并引入深能级陷阱中心。
In this paper, through the DLTS Deepwell I-V reverse characteristic test, the study of the difference between the electrical performance of the wafer by the oxygen desorption treatment (I-G wafer) and the general polishing (original wafer). The results show that the essence of the I-G process is a temperature-dependent heat treatment process, which also has a thermal damage effect on the lattice structure while generating the gettering effect and is introduced into the deep level trap center.
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