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p型A1/6H—SiC肖特基二级管特性研究
p型A1/6H—SiC肖特基二级管特性研究
来源 :半导体情报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:senjian
【摘 要】
:
研究了p型Al/6H-SiC肖特基二极管的基本制作工艺及其电学参数,采用电流-电压法(I-V)测试了肖特基二级管的理想因子n和肖特基势垒高度φb,对其基本是学参数n和φb的湿度特性进行了研
【作 者】
:
罗小蓉
龚敏
【机 构】
:
四川大学物理系
【出 处】
:
半导体情报
【发表日期】
:
2001年3期
【关键词】
:
6H碳化硅
肖特基二极管
宽禁带半导体
6H-SiC
schottky diode
wide band semiconductor
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研究了p型Al/6H-SiC肖特基二极管的基本制作工艺及其电学参数,采用电流-电压法(I-V)测试了肖特基二级管的理想因子n和肖特基势垒高度φb,对其基本是学参数n和φb的湿度特性进行了研究,并分析了串联电阻对I-V特性的影响。
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